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你好。 
因此、此 MCU 上的闪存程序大小为闪存字(64位)。 我正在尝试了解在同一扇区中写入较小的块时写入是如何工作的。 我已经稍微修改了"flashctl_multiple_size_write"程序、这样它在偏移0处写入一个字节、在偏移1处写入2个字节、在偏移3处写入4个字节、最后在偏移7处写入8个字节(从而跨越字边界)。 原则上、它应该是这样的。 
     11    22 22       33 33 33 33 33 33 33              44 44 44 44 44 44                  44   44    44      
   |------- |------- |------- |------- |------- |------- |------- |------- |------- |------- |------- |------- |------- |------- |------- | 
0x1000                                0x1007                                      0x100F                             
现在、我单步执行程序、看看存储器看起来 
在0x1000写入11: 
在0x1001处写入2222: 
将333333写入0x1003: 
  向0x1007写入444444444444444444: 
看看上面的屏幕快照、看起来好像从 RAM 执行一个"程序存储器"本质上会导致扇区被部分擦除。 有时现有的位都被归零(在0x1001处写入0x2222并在0x1007处写入0x44444444444444)、而其他一些时间则保持不变(在0x1003处写入0x3333)。  
有人能告诉我实际的规则是什么、这样我就能确定我可以期待什么?