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[参考译文] TMS570LC4357:是否进行闪存包装程序 ECC 计算?

Guru**** 2403395 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1326795/tms570lc4357-does-flash-wrapper-ecc-calculation

器件型号:TMS570LC4357

您好!

我正在尝试了解 tms570lc4357器件上的 ECC 和 SECDED。

 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/555172/how-ecc-works-on-tms570lc43x-ram-flash-and-other-locations

在上面的链接中有一个关于 L2RAMW 的清晰解释。 我了解到在 CPU 上有一个有关 L2RAMW ECC 计算的 SECDED 机制、然后在 L2RAMW 上有另一个 ECC 计算。 我的理解是真的吗?

这些操作在闪存上的发生方式是否相同? 也是在闪存包装程序上进行 ECC 计算、还是仅使用从 CPU 获取的数据? 在 SPNA148中有关于闪存包装程序和 RAM 包装程序的部分。
但我无法清楚地理解闪存操作。 有人能在闪存上清楚地解释 ECC 计算吗?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    Unknown 说:
    这些操作在闪存上是以同样的方式发生的吗? 是否也在闪存包装程序上进行 ECC 计算?是否仅使用从 CPU 获取的数据?

    并非与 RAM 完全相同、因为此处 ECC 数据应与应用程序一同编程到闪存中、这与 RAM 不同、RAM 将在每次写入操作期间计算 ECC 并对其进行编程。

    与 RAM 类似、对于每个64位数据、将有一个8位的 ECC 值。

     与 RAM 类似、如果 CPU 执行读取操作、则整个64位数据和8位 ECC 由 闪存返回给 CPU。 CPU 将首先通过传递64位数据和相应的地址行来执行 ECC 检查。

    有关更多详细信息、请参阅以下应用手册:

    e2e.ti.com/.../ECC-Handling-in-TMSx70_2D00_Based-Microcontrollers_5F00_spna126.pdf

    --
    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    谢谢你。

    如果在闪存上有一个写入操作,顺序将是什么? 我知道从您的回答来看、如果 CPU 将数据写入闪存、则只会在 CPU 端进行 ECC 计算、而闪存包装程序不会计算 ECC。 是这样吗?  

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    我明白,从您的回答来看,如果 CPU 向闪存写入数据,则只会在 CPU 端进行 ECC 计算,而闪存包装程序不会计算 ECC。 这是真的吗?

    正确、闪存包装程序不会计算 ECC。

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    感谢你的帮助。