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器件型号：TMS570LC4357 主题中讨论的其他器件：RM44L520
您好！
我应用此分步式教程在 RAM 区域执行代码的某些部分、目的是减少关键实时指令的执行时间。
我在数据表 SPNS229C 图5.2中看到 RAM 访问不需要等待状态、而闪存访问需要等待状态。 在 RAM 中执行关键代码时、可以缩短关键代码的执行时间。
我在测试的 MCU 中检查了等待状态的设置是否符合数据表(除 RWAIT = 2之外的所有等待状态设置为0、因为120MHz)。
我已检查代码是否真正在运行于120MHz 的 RM44L520PZ MCU 上的 RAM 中执行。 我没有启用任何 RAM 保护(MPU 全部被禁用)。
我对关键代码执行进行了时间测量、但 对执行时间没有减少感到失望。
是否有人进行过此类执行时间测量和比较(在闪存和 RAM 中执行的代码)？
此致、
JDM
