[参考译文] TMS570LC4357：F021闪存 API 使用问题

您好、Burak：

我们现在已开始处理您的问题、并将尽快提供更新。

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谢谢。此致、
Jagadish。

您好、Burak：

很抱歉耽误你的时间。

我刚刚进行了代码调试、可以看到您提到的行为。 给我更多的时间进行调试并向您提供更新。

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谢谢。此致、
Jagadish。

感谢您的关注。 我还有一个关于这一问题的问题。 在这些图片中、我共享了用值0xFFFFFFFF 完全初始化的闪存组7区域。 在本例中、 Fapi_issueProgrammingCommand (...) Fapi_Data 模式下的功能工作正常。 当使用闪存组7时、我完全放弃了组7区域、但组7中的新值不是0xFFFFFFFF。 之后如果我使用  Fapi_issueProgrammingCommand (...)  在 Fapi_Data 模式中(写入大小的字节无关紧要、 8字节写入也不能正确工作)、Flash 组7中的值不正确。

我认为 Fapi_issueProgrammingCommand (...)  函数在 Fapi_Data 模式中不起作用。 在我的应用程序中、我需要使用 Fapi_Data 模式、因为如果在自动生成 ECC 模式下使用写入、我不能使用同一闪存存储体地址两次写入操作(实际上该函数在 Fapi ok 时返回、但在写入操作后、目标地址不会改变)。 在我的算法中、有时我需要写入相同的闪存组地址。 此外、由于我有错误检测功能、因此我不需要使用 ECC。

Fapi_Data mode 是什么？ 在共享文档中、我无法清楚地了解仅数据与自动 ECC 生成之间的区别。 遗憾的是、没有关于 FSM 的文档。 因此 我必须使用 Fapi 函数。

注：如果我要使用相同的闪存存储体地址、我必须清除闪存存储体7。 有时我不需要这么做、因为在闪存中使用了各种类型的门(1 -> 0： 写入操作；0 -> 1清除操作)。

谢谢、此致。

您好、Burak：

这只是预期行为、由于 ECC 位校正、将会发生。 请参阅下面的主题以了解  

(+) TMS570LC4357：基于 ECC 功能的 QS -基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

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谢谢。此致、
Jagadish。

您好！

根据我从您在此主题上共享的链接了解,即使我使用 Fapi_disableAutoEccCalculation (...) 停止。 当代码开始执行且我无法禁用闪存 ECC 时、闪存 ECC 会亮起。 这是真的吗?

我使用链接器文件写入来写入0xFF 闪存组7、但我认为这不是正确的行为、除非我在程序运行期间能够再次执行此操作。

在上面的代码示例中、即使内存完全是0xFFFFFFFF、我的问题也未解决。

谢谢、此致。

Unknown 说：

根据我从您分享的有关此主题的链接中了解，即使我使用 Fapi_disableAutoEccCalculation (...) 停止。 当代码开始执行且我无法禁用闪存 ECC 时、闪存 ECC 会亮起。 这是真的吗?

是的、LC4357也是如此。

Unknown 说：

我使用链接器文件写入来写入0xFF 闪存组7、但我认为这不是正确的行为、除非我在程序运行期间能够再次执行此操作。

在上面的代码示例中、即使内存完全是0xFFFFFFFF、我的问题也未解决。

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没错。