[参考译文] MSPM0L1306：MCU 在写入闪存时进入默认处理程序

尊敬的 Rahul：

您尝试写入哪个闪存地址范围？

您好、先生！

我正在尝试在以下地址写入：

#define MAIN_BASE_ADDRESS (0x00001000)

我的源代码中的代码流程是这样的：

//声明的变量

uint8_t gData8 = 0x55；
unsigned char Test = 0；
unsigned char *ptest；

//取消保护闪存
DL_FlashCTL_unprotectSector (FLASHCTL、MAIN_BASE_ADDRESS、DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN)；

//写入闪存

gCmdStatus = DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM8 (FLASHCTL、MAIN_BASE_ADDRESS、&gData8)；

(请注意、此处我们会在 gCmdStatus 中传递、有时程序会在此处进入默认处理程序)

// Read_Verify 闪存

gCmdStatus = DL_FlashCTL_readVerifyFromRAM8 (FLASHCTL、MAIN_BASE_ADDRESS、&gData8)；

(即使传递写入函数、该函数也始终输出失败)

ptest =(void *)(MAIN_BASE_ADDRESS+8)；
测试=*ptest；

(测试变量的值与 gData8不同)

谢谢。此致。

好的、感谢 Dennis 的支持。

尊敬的 Rahul：

您是否能够让此功能为您效劳？

您好、Dennis、  

实际上、我们正在处理这个项目的紧急通知、所以我没有机会再次重试闪存访问、我们找到了另一种方法、在不使用闪存的情况下实现我们的目标。 我会告诉您、我们是否会再次解决该问题。

谢谢。此致。