[参考译文] TMS570LC4357：有关芯片勘误表 MIBSPI#138和诊断 MSP16的问题

您好、Max：

我们已开始处理您的问题、并将尽快为您提供更新。

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谢谢。此致、
Jagadish。

您好、Max：

我也从未在实际中验证过此勘误问题。

Unknown 说：

由于勘误表的描述相当模糊，我想知道尽管测试正在进行，MIBSPI#138是否应该适用于我们？

根据我的理解、此勘误表应该适用。

在您的情况下、这可能有效、因为翻转的位可能仅具有正确的 ECC 位。 我的意思是给出错误的 ECC 意味着所有位都可能不会错误、对吧？ 7位 ECC 中的任何一位都可能是错误的。

如果您尝试执行勘误表中建议的变通办法、请记住以下内容：

如果启用扩展缓冲模式、那么 RAM 的地址范围将被改变、这是因为现在每个 RAM 将为256个字。

TXRAM (控制+数据)地址范围= 0至3FFh

RXRAM (状态+数据) 地址范围= 400 至7FFh

ECC 地址范围= 800至 FFFh

此外、您还应记住以下要点：

即使扩展缓冲区空间中 ECC 的地址范围为800至 FFFh、但为了读取前128个缓冲区的正确 ECC 值、我们应该从0xC00访问0xDFF。

请考虑这一情况并尝试再次进行测试。

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谢谢。此致、
Jagadish。

Jagadish、您好！

在实施权变措施时、我注意到我在上一篇文章中做出了错误假设。 我们测试的是数据的偏移量0x4、ECC 的偏移量0x400+0x4、也就是 TXRAM。

如果勘误表仅适用于 RXRAM、它将解释我们的实现为什么有效。 我假设 TXRAM 和 RXRAM 的 ECC-Logik 是相同的、所以此测试就足够了？

但我也测试了 RXRAM 的工作主动脉、 数据偏移量为0x400 + 0x4、ECC 偏移量为0xC00 + 0x4、这也起作用(启用了扩展模式)。

谢谢、此致、
最大值

您好、Max：

Unknown 说：

如果勘误表仅适用于 RXRAM、它将解释我们的实现为什么有效。 我假设 TXRAM 和 RXRAM 的 ECC-Logik 是相同的、所以此测试就足够了？

但我也测试了 RXRAM 的工作主动脉、 数据偏移量为0x400 + 0x4、ECC 偏移量为0xC00 + 0x4、这也起作用(启用了扩展模式)。

[/报价]

您说得对、这仅适用于 RXRAM、不适用于 TXRAM。

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谢谢。此致、
Jagadish。

因此、测试 TXRam 就足够了、因为 ECC 逻辑与用于 RXRAM 的逻辑相同。