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[参考译文] TMS570LC4357:闪存擦除读取和写入问题

Guru**** 2442090 points
Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1285027/tms570lc4357-flash-erase-read-and-write-problem

器件型号:TMS570LC4357
主题中讨论的其他器件:UNIFLASH

大家好、

客户有问题需要您的帮助:

我通过 F021 API 擦除和写入片上闪存

擦除 Bank1后、我将0xAA 写入 Bank1的 Sector0的前8个字节。  然后、通过地址直接在 C 程序中读取这8个字节。

根据串行端口的打印信息、擦除和写入时不会出现软件错误。 但是、当读取数据的第一个字节时、串行端口将停止、而电路板上的红灯将亮起。

此时、通过 UniFlash 中的"Memory"选项读取存储器信息、结果发现 组1的 Sector0的前8个字节已经被写入为0xAA。

然后、我尝试写入  BANK1的 Sector0的起始16个字节、24个字节和32个字节。  我发现在写入前24个字节和32个字节时、可以无错误地读取我写入的数据。

我想问,造成这种情况的原因可能是什么?  如何解决?

根据技术手册和 API 手册的介绍、似乎只写入8个字节、而读取这8个字节是可行的

谢谢。此致、

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    尊敬的 Ben:

    您能否就您正在讨论的问题与您分享您的项目?

    如果您共享它、那么我可以快速调试并看到您提到的问题。

    --
    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    有任何更新吗?

    此致、

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    尊敬的 Ben:

    您是否可以告诉客户使用"Fapi_doMarginReadByByByByByByByByByByByByByByByTime"读取函数而不是直接指针?

    让我知道客户是否仍然面临问题?

    --
    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    是的、他们仍然面临这个问题。

    使用 API - Fapi_doMarginReadByByByByByByByByByByByByByyte 读取写入组1扇区0的8个字节是相同的行为。 串行端口停止并且电路板上的红光打开。 对于 Bank7 Sector0、在写入8个字节后、无论直接通过地址访问还是使用 API 读取、都不会发生此问题。

    此致、

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    尊敬的 Ben:

    我创建了一个与客户问题类似的示例项目、但在阅读中我看不到任何问题。

    并且、我将在串行终端上接收的数据如下所示:

    我将在这里附上我的完整项目、您能要求客户对其进行测试吗?

    e2e.ti.com/.../7651.FAPI_5F00_TEST_5F00_LC43.zip

    --
    谢谢。此致、
    Jagadish。