Other Parts Discussed in Thread: TMDSCNCD263, UNIFLASH
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你好
对于我们自己的硬件、我们以 Sitara AM263x 评估套件为模板(TMDSCNCD263)
我们在自己的硬件上遇到了不可靠的闪存回读、并且对评估套件进行了相同的测试、结果也相似。 我们还将板上的 SPI 闪存更改为 S25FL128、以便能够使用与评估套件上相同的调整。
我们面临同样或类似的问题。
我们如何在评估套件上进行测试
1)工具: CCS1250. SDK：mcu_plus_sdk_am263x_09_00_00_35
2)在 CCS 中：
File -> Import -> C/C++-> CCS Project
下一页
搜索目录：/opt/ti/mcu_plus_sdk_am263x_09_00_00_35/examples/drivers/qspi/qspi_flash_diag/am263x-cc/r5fss0-0_freertos
完成
3) 3)我们使用了所有默认的 syconfig 调整并修改了测试。
修改的原因：仅写入256个字节、并且在示例中仅使用递增值。
修改：
我们使用 uart_uniflash.py 脚本下载一个随机二进制文件、其中16KB 地址到评估套件上的地址0、并使用与第2步中的示例相同的闪存读取例程进行回读
4)观察：
初读时
00000000 01 F0 50 A1 49 55 76 C3 40 de dd 0d 89 8e 83 4F
00000010 04 18 33 9c 4b ae 98 A4 de 47 7c 40 c4 0c D5 EB
00000020 F7 13 9f 20 5d E5 07 53 52 F9 61 b6 ef 6d 4F 2b
而随机二进制文件(在 PC 上生成的文件)为：
Marco@HP-ZBook-15-G6：/tmp$ hexdump -C 虚拟
00000000 df f0 50 A1 49 55 76 C3 40 de dd 0d 89 8e 83 4F |.P.Iuv.@…… O|
00000010 04 18 33 9c 4b ae 98 A4 de 47 7c 40 c4 0c D5 EB |..3.K....G|@á....|
00000020 F7 13 9f 20 5d E5 07 53 52 F9 61 b6 ef 6d 4F 2b |.. ]....MO++ SR .a.mo+|
00000030 8f bb A5 82 96 BD 48 D9 D4 38 CB da 18 80 90 4D |.. H..8... M |
在再次读取评估套件后、我们得到了正确的数据、我们认为：
00000000 df f0 50 A1 49 55 76 C3 40 de dd 0d 89 8e 83 4F
00000010 04 18 33 9c 4b ae 98 A4 de 47 7c 40 c4 0c D5 EB
事实证明,在第二次阅读后,我们有错误的 CRC。 闪存读回不可靠。
我们尝试过的方法：
显著降低了 SPI 时钟(80MHz -> 10MHz)、仅使用1S-1S-1S 模式。 以这种方式传递闪存回读(使用 CRC 校验和进行测试)。
如果 TI 工程师能够尝试重现此问题、我们将感到非常高兴。 我们很乐意共享我们的测试应用、因为它有助于简化测试(尤其是 CRC 校验和等)
提前感谢
