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器件型号:TM4C123GH6PM 主题中讨论的其他器件:EK-TM4C123GXL
您好!
在我的应用程序中、我将某些初始化变量存储在闪存中、即:
uint32_t write_eeprom_int(uint32_t addr, int data) {
pui32Data[0] = data;
return EEPROMProgram(pui32Data, addr, sizeof(pui32Data));
}
uint32_t write_eeprom_float(uint32_t addr, float data) {
pui32Data[0] = ((union u32f32){.f32 = data}).u32;
return EEPROMProgram(pui32Data, addr, sizeof(pui32Data));
}
我还想使用以下版本的 USB 引导加载器:tivaware_2_2_0_295/examples/boards/ek-tm4c123gxl/boot_usb、该示例工作正常。
我使用0x00至0x100的地址空间来存储我的变量。
在撰写本文时、我想问一下我们是否可以同时使用从闪存操作的引导加载程序以及 EEPROM 这两种不同的存储器空间。 是这样吗?
数据表指出了 EEPROM 是什么"可作为512个32位字访问的2K 字节存储器"、与引导加载程序无关是不是正确的?
在使用 USB 引导加载程序和闪存时、有什么需要我谨慎对待的事情吗?
此致、
-C
可