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[参考译文] MSPM0-SDK：当 MCU 只有一个闪存组时、ramfunc 是强制的吗？

admin
Guru**** 2952000 points

Other Parts Discussed in Thread: MSPM0L1105, MSPM0-SDK

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1266604/mspm0-sdk-is-ramfunc-mandatory-when-mcu-only-have-one-flash-bank

器件型号：MSPM0-SDK
主题中讨论的其他器件：MSPM0L1105、

我将根据只有一个闪存存储体的 MSPM0L1105进行开发。

MSPM0-SDK 提供两个访问闪存的函数、一个是正常函数、另一个是 RAM 函数。

我注意到函数"DL_FlashCTL_executeCommandFromRAM"位于 RAM 段。

对于我们的使用、我们有一个 ram 自检程序、如果我们需要在 ram 部分中放置一个函数、我们需要更加努力。

我可以只使用正常函数、而不使用 ram 函数吗？

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    TI__Guru**** 2952000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Yiren：

    实际上、你可以找到 teo 函数：在 RAM 中运行而不在 RAM 中运行、就像下面这个函数：

    因此、您可以选择适合您的应用的功能。

    谢谢！

    此致

    约翰逊

  • 0
    TI__Guru**** 2952000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您能否进一步解释一下这两个函数之间有什么不同？ 但我不确定 应该使用哪个函数。

    谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 2952000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Yiren：

    这些代码中运行的代码将在 MCU 上电时加载到 SRAM 中、因此即使我们擦除闪存、由于 SRAM 中存在此代码、该函数仍然正常。

    但如果没有 RAMFUNC、该代码将在闪存中运行、这将遇到一些问题、例如擦除闪存。

    谢谢！

    此致

    约翰逊