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[参考译文] AM2434:建议用于 DDR 和 PCIe 的典型 PCB 单端阻抗和差分阻抗

Guru**** 2431080 points
Other Parts Discussed in Thread: AM2434

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1263096/am2434-recommended-typ-pcb-single-ended-impedance-and-differential-impedance-for-ddr-and-pcie

器件型号:AM2434

大家好、

我是 FAE Jayden、我的客户 O-net 使用 AM2434、他们对这款插槽有一些疑问。

对于 DDR4设计、有关于 AM2434 DDR4 PCB 设计的 APN: AM64x/AM243x DDR 电路板设计和布局指南(修订版 A)(在 APN 中为 ti.com.cn);)、建议的典型 PCB 单端阻抗和差分阻抗为80Ω。   如果按照传统的50/LVDS 设计100Ω、是否会影响信号质量? 40/DDR4 80Ω 阻抗还能满足市场上大多数 DDR4芯片的要求吗?

2. AM2434的 PCIe RX/TX PCB 单端阻抗和差分阻抗的建议值是多少? 下图展示了 On-Net 对 PCIe 的设计、没问题吧?

  

3. AM2434对耦合电容器的材料有任何要求吗?

谢谢

BRS

杰登

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    您好、Jayden、  

    1. DDR4迹线阻抗

    • 让我来问其他一些团队成员这个问题。 我立即建议遵循布局指南应用手册中的建议、因为这些建议是根据我们的 DDR 控制器特性分析结果生成的。  

    PCIe 标准规定了根和端点设备的互操作性、包括驱动器/接收器阻抗匹配。 50欧姆单端/100欧姆差分对是该标准、应在包括 AM243x PCIe 在内的所有设计中遵循。  

    3. PCIe 标准规定100nF 的交流耦合/直流阻断标称电容。 就材料而言、我们的 表征系统通常在这些设计中使用 X7R 或性能更好的电容器、因此电容器之间以及随温度/时间变化的差异不会显著影响性能。 从 PCB 设计的角度来看、目标是最大限度地减少电容器焊盘添加到传输线路中的阻抗不连续性。 使用较小的0201电容器可以帮助实现这一点。 还会在电容器下方留下返回路径空隙。 但是、您需要根据3D EM 场求解器或 PCB 测量结果来做出这些 PCB 设计决策。  

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    您好、Jayden、  

    我们的 DDR4控制器和 DDR3存储器支持多种驱动器/终端值: 34、40、48、60、80,120,240欧姆。  

    PS9和 PS10表是40欧姆单端设置下支持的一个示例。 如果布线做得很好、那么支持50欧姆线路应该不会有问题。 大多数印刷电路板制造厂无论如何都将具有+/-5%或+/-10%的公差。 48欧姆的设置可能是最好的开始。  

    谢谢!

    -兰迪

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    明白了! 谢谢、Randy。

    BRS

    杰登