[参考译文] TMS570LC4357：直接写入 ECC 存储器以在 L2RAMW 中创建1位和2位错误

尊敬的 Deric：

我们有 safeTI 诊断库代码、其中包括用于在控制器中注入不同故障的代码。 您可以从以下链接下载：

SAFETI_DIAG_LIB 驱动程序或库| TI.com

一旦您下载了 SAFeTI 诊断库、现在您就可以参考与 SRAM_ECC_ERROR_ERRITH_1位和 SRAM_ECC_ERROR_ERRING_BIT 相关的代码

这里给出了为 RAM 创建 single-bit (可纠正错误)和 double bit (不可纠正错误)的代码。

因此、请遵循 safeTI 诊断库中给出的代码。

您还可以参考下述主题中我的第一条评论、其中我解释了他们在 SAFeTI 诊断库中为  SRAM_ECC_ERROR_CHRING_1bit 和 SRAM_ECC_ERROR_FORCING_2BIT 执行 的过程。

(+) RM57L843：如何分别注入 ESM_G2ERR_L2RAMW_Uncorr_B/ESM_G1ERR_L2RAMW_CORRERR 和触发 ESM 中断-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

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谢谢。此致、
Jagadish。

您好，Jaga

谢谢。 之前、我已经设法使用 safeTI 库创建1或2位 ECC 错误、这些错误将触发 ESM 2.7 L2RAMW 不可纠正的错误类型 B。但现在我打算手动写入 RAM 及其 ECC、以使 ESM3.3 L2RAMW 双位 ECC 不可纠正的错误。  

与我分享任何想法。

尊敬的 Deric：

Unknown 说：

、但现在我打算手动写入 RAM 及其 ECC、以导致 ESM3.3 L2RAMW 双位 ECC 不可纠正的错误。  [/报价]

请使用  SDL 开关用例 SRAM_ECC_ERROR_FORCING_2bIT 中的代码作为创建 ESM3.3的参考、并在以下主题中解释了该代码具体执行的操作：

(+) RM57L843：如何分别注入 ESM_G2ERR_L2RAMW_Uncorr_B/ESM_G1ERR_L2RAMW_CORRERR 和触发 ESM 中断-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

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谢谢。此致、
Jagadish。

是的、我已经进行了上述尝试、并导致 ESM2.7出现。 此外、我已更改/损坏全局变量的 ECC、预计会发生 ESM3.3。 但它不是、您对此有什么想法吗？

尊敬的 Deric：

RAM 测试模式下的 ECC 错误注入(1位或2位)不会生成 ESM3.3错误。 当 SECDED 逻辑无法纠正1位 ECC 错误、或者冗余地址解码生成地址错误、或者在读取-修改-写入操作期间出现2位 ECC 错误时、就会生成该位。  

早上好、QJ：

感谢您的回复。

1) 1)当 SECDED 逻辑无法纠正1位 ECC 错误时生成该位、

2)冗余地址解码会产生地址错误,

3) 3) 在读取-修改-写入操作期间存在2位 ECC 错误。  

对于这3种情况、如何触发它们？ 我曾尝试(3)将 ECC_DETECT_EN=5h 和 ECC_WR_EN=0更改为故意损坏 RAM 变量及其 ECC。 这个问题没有解决。

我是不是错过了任何东西,或者那不是正确的方式这样做. 希望很快收到您的反馈。 你好。

我执行了低于64位的写入 、如 TRM 8.2.2.1中所述、ECC 处理8、16和32次写入。

Unknown 说：

更改 ECC_detect_EN=5h 和 ECC_WR_EN=0以有意破坏 ram 变量及其 ECC。

这是"Uncorrectable error Type B"、ESM 2.7。

您可以尝试的一种方法是： 在 PBIST 之后读取 RAM。 March13N 算法将存储器阵列初始化为已知模式、然后通过存储器写入不同的模式、包括 RAM 的 ECC 空间。 在 PBIST 之后、ECC 空间包含无效的 ECC 代码、因此读取 RAM 地址将生成 ECC 错误。

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