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器件型号：TMS570LC4357 主题中讨论的其他器件： HALCOGEN
您好！
我最近在用TMS570LC4357这款芯片的开发板，HALCoGen自动生成的CMD文件是FLASH运行的，每次调试都需要擦写FLASH，太慢了。
我需要像C2000的DSP那样（TI提供了RAM模式的CMD），可以在RAM模式下调试，由于没有找到570的现成的RAM 模式CMD，所以我自行修改了FLASH模式的CMD，虽然编译不报错，但是也没有实现在RAM上调试这个目标。
修改前的CMD如下：
起始地址是0000 /μ s，FLASH的首地址 μ s
内存
{
VECTORS (X) ：origin=0x00000000 length=0x00000020
FLASH0 (RX)：origin=0x00000020 length=0x001FFFE0
FLASH1 (RX)：origin=0x00200000 length=0x00200000
堆栈 (RW)：origin=0x08000000 length=0x00001500
RAM (RW)：origin=0x08001500 length=0x0007EB00
｝
部分
{
.intvecs :{}>向量
.text align(32):{}> FLASH0| FLASH1
.const align (32):{}> FLASH0 | FLASH1
.cinit align (32):{}> FLASH0 | FLASH1
.pinit align (32):{}> FLASH0 | FLASH1
.bss :{}> RAM
.data :{}> RAM
.sysmem ：{}> RAM
｝
修改后的CMD如下：
起始地址是0800 /μ s，RAM的首地址 μ s
内存
{
向量(X) ：origin=0x08000000 length=0x00000020
FLASH0 (RX)：origin=0x08000020 length=0x00008000
FLASH1 (RX)：origin=0x08008020 length=0x00009000
堆栈 (RW)：origin=0x08011020 length=0x00009000
RAM (RW)：origin=0x0801A020 length=0x00064FE0
｝
部分
{
.intvecs :{}>向量
.text align(32):{}> FLASH0| FLASH1
.const align (32):{}> FLASH0 | FLASH1
.cinit align (32):{}> FLASH0 | FLASH1
.pinit align (32):{}> FLASH0 | FLASH1
.bss :{}> RAM
.data :{}> RAM
.sysmem ：{}> RAM
/*。TI.ramfunc ：｛｝> RAM*/
｝
请帮忙指导下，570是否支持RAM模式debug，如果支持，应该如何正确修改CMD？如何将FLASH和RAM的地址映射上呢？
谢谢！
