[参考译文] RM48L952：FEE 函数库

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1370264/rm48l952-fee-library

器件型号：RM48L952
主题中讨论的其他器件：HALCOGEN

工具与软件：

您好！

我正在使用 FEE、以便将一些数据和校准值存储在非易失性存储器中。
为了生成驱动程序、配置和特定于器件的文件、FEE 驱动器在 HalCoGen 版本04.07.01中被启用。该项目中还会使用 HalCoGen 安装文件夹中的 F021闪存 API 库版本02.01.01。
我对费用有两个问题：

1) 1)我的设置是否正确、或者我是否应该添加/替换某些文件？
我发现在在线资源转售中可以下载 TMS470M 闪存 EEPROM 仿真驱动程序。但是、我的器件似乎不支持它、它是一个由 HalCoGen 生成的旧版本。
我在在线资源库中找不到适用于我的器件的版本、因此我认为我要保留由 HalCoGen 生成的文件、而不是用其他地方的库/驱动程序代替它们。

2) 2)阅读完 TI FEE 用户指南后、我明白不可能同时在4个闪存扇区中存储数据：其中只有2个可以使用、而当第一个闪存扇区满时、将使用另外2个。
我的理解是否正确？

感谢您的支持、
丹尼

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2515175 points

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大家好、

Unknown 说：
1)我的设置是否正确或者我应该添加/替换某些文件吗?

您的设置正确。

我的建议是、您可以在 HALCoGen 中找到 RM48的 FEE 示例。您可以通过以下步骤访问它：

首先转到 HALCoGen 中的"帮助主题"部分、

在这里的"示例"部分、您可以找到名为"Example_TI_Examples"的示例 Fee_Write_Read。

在此示例中、您可以找到分步过程以及 FEE 示例的代码。

只需按照以下步骤操作。

Unknown 说：
2)阅读完 TI FEE 用户指南后、我知道不可能同时将数据存储在4个闪存扇区中：只能使用其中的2个闪存扇区、而当第一个闪存扇区填满时、将使用另外2个闪存扇区。
我的理解是否正确？

不完全是这样。

实际上、我们需要做的是将物理扇区合并成一些虚拟扇区(最少两个)。例如、我创建了两个虚拟扇区 VS1和 VS2、这里我还假设我通过组合前两个物理扇区创建了 VS1、通过其他两个物理扇区创建了 VS2。

现在、FEE 驱动器首先将 VS1设置为活动虚拟扇区、并将所有数据存储到数据块的 VS1冬季。一旦 VS1完全填满、FEE 驱动器会将 VS1的活动数据块(活动数据块意味着您可以假设像最新数据一样、我的意思是如果您写两次数据块、那么旧数据将标记为无效、新数据将标记为活动数据块)复制到 VS2中、并将 VS1标记为擦除扇区、从而 VS1将在后台擦除、并且意味着新数据现在将移动到 VS2。

现在、如果这个 VS2也被填满、那么 FEE 驱动器将再次返回到 VS1、并且它将把 VS2的所有活动数据块移动到 VS1中并将 VS2标记为擦除。这一进程将继续下去。

注：

理论上、您还可以使用 FEE 配置两个以上的虚拟扇区、但我在最近的测试中看到了一个这样做的问题。请参阅我在以下主题中的最后一条评论：

(+) TMS570LS1224：FEE 特定问题-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

因此、我的建议是仅使用2个虚拟扇区。这将足以连续存储数据而不会出现任何问题。

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谢谢。此致、
Jagadish。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2515175 points

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您好 Jadadish：

感谢您的回答。
好的、如果设置正确、这是一个很好的开始。感谢示例:)

我对 FEE 行为还有一些疑问：假设我想在第一个 VS 中存储一些校准参数、在第二个 VS 中存储一些事件日志、并在第三个 VS 中存储一些各种数据。如果我理解正确、就无法做到、因为它需要3个活动 VS 和3个备用 VS、即至少6个物理扇区、而我的器件只有4个。
因此我需要将所有这些数据存储在同一 VS 中、对示例而言、正确吗？

此外，为何费用只能按行业计算？它是为了在擦除之前写入所有内存单元，以便使扇区的寿命最大化？

此致、
丹尼

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2515175 points

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大家好、

Unknown 说：
假设我想在第一个 VS 中存储一些校准参数，在第二个 VS 中存储一些事件日志，在第三个 VS 中存储一些各种数据。如果我理解正确，这将不可能实现，因为它需要3个活动 VS 和3个备用 VS，这意味着至少6个物理扇区，而我的设备只有4个[/报价]。
我想您不太了解它、我建议您再次参考 TI FEE 用户指南：

实际上、我们不能将每个扇区专门指定一个参数。我的意思是永远不可能一次进入所有部门。

数据应以数据块格式存储。

例如、在您的情况下、您应该需要如下创建3个数据块

我假设您的校准数据是16字节、那么您应该需要创建第一个数据块为16字节、可用于校准数据、类似地、还需要创建另外两个数据块、分别用于事件日志和一些其他数据等。

现在、每当您想写入一些数据时、应该需要使用相应的块编号调用写入函数、如下所示。

同样、对于读取函数、您也应该需要调用相应的块编号。

实际上,你不必担心虚拟扇区,实际上虚拟扇区的处理将由收费驱动器内部处理。唯一需要做的就是创建两个虚拟扇区。

这只是收费的内部操作、分享您对内部操作的理解：

假设我创建了两个 FEE 虚拟扇区和3个数据块。

FEE 驱动器的作用是、每当您尝试写入一个数据块时、FEE 就会将数据块写入 VS1。在 VS1完全填满之前、它会将所有数据块写入 VS1。

如果任何块使用新数据多次调用、FEE 在内部将最新块标记为有效、而相应块的所有之前数据标记为无效。如果你使用块编号调用读取函数、那么 FEE 将为相应的块提供最新的有效数据。

一旦 VS1完全填满、FEE 将把 VS1中的所有最新有效数据块复制到 VS2中并将 VS1标记为擦除。现在、如果你将任何新数据写入块、那么它们将继续写入 VS2、此过程将继续、直到 VS2被填满。一旦 VS2被填满、FEE 将把 VS2中所有有效数据块复制到 VS1并标记 VS2用于擦除操作。这一进程仍在继续。

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谢谢。此致、
Jagadish。

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

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