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[参考译文] MSPM0L1306:闪存区域

Guru**** 2391415 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1435130/mspm0l1306-flash-memory-region

器件型号:MSPM0L1306

工具与软件:

嗨、团队:

关于下图、有一个针对耐用性 NWEC (低32kB 闪存)的注意事项。  

您能告诉我哪个区域是较低的32KB 闪存吗?

提前感谢您。

此致、

Kenley

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    请参阅数据表。

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    尊敬的 Zhao:

    感谢您的支持。

    表8-4中似乎有如下注释:
    " 第一个32KB 闪存 存储器(地址0x0000.0000至0x0000.8000)具有高达100000个编程和擦除周期。"
    但是、在闪存规格中、写入的耐写次数仅为100k 次 降低32kB。

    你能详细说明一下吗?

    谢谢!

    Kenley

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    第一个32KB 闪存 是的  降低32kB