[参考译文] TM4C1294NCPDT：向 Tiva 添加大容量闪存存储器

尊敬的 Doug：

 除了使用 SPI 接口的串行闪存存储器外、TM4C129还支持 EPI (外设接口)、可通过 EPI 的16位主机总线模式连接并行闪存器件。 有关支持的最大存储器大小的详细信息、请参阅数据表。  EPI 模块并未内置 Flash 存储器的擦除或写入指令序列、因此建议在焊接前预先烧录 Flash 存储器。 假如必须在运行时写入 Flash 存储器、并且 Flash 存储器不支持写操作直接编程、那么该命令机制就必须由软件执行。 与串行存储器相比、并行存储器本来可以提供更好的性能、但串行存储器将更易于实施。  

μ■主机总线模式
–传统的 x8和 x16 MCU 总线接口功能
–与 PIC、ATMega、8051等类似的设备兼容性选项
–访问 SRAM、NOR Flash 存储器和其他器件、寻址能力高达1MB
非复用模式下为256MB、多路复用模式下为256MB (HB16模式下为512MB、与
无字节选择信号)

–在四芯片选择模式下、支持高达512MB PSRAM、并具有专用配置
寄存器读取和写入使能。
–支持复用和非复用的地址/数据总线
–访问支持无地址 FIFO x8和 x16接口变体的一系列器件,
支持外部 FIFO (XFIFO)空和满信号
–速度受控、读/写数据均可添加等待状态计数器
–支持主机总线的读/写突发模式
–多种芯片选择模式、包括单芯片、双芯片和四芯片选择、支持和不支持
ALE
–为读写功能提供的外部 iRDY 信号
–手动启用芯片(或使用额外的地址引脚)

11.4.3.3主机总线16位复用接口
842页的描绘出如何将 EPI 信号连接到16位 SRAM 和16位闪存
带有复用地址和存储器的存储器、使用字节选择和带有 ALE 的双片选信号。 减少
原理图只是一个如何连接信号的示例；计时和负载尚未连接
分析。 此外、这里并未显示所有的旁路电容器。