[参考译文] AM2431-AM243X：MCU-PLUS-SDK 电路板自定义闪存编程问题。

您好！

AM243x-EVM UART_UNIFLASH 使用 DDR 通过 UART 存储接收到的图像。 如果您使用定制 DDR、是否已在 UNIFLASH 示例中集成了相应的 DDR 配置文件？

此致、

Prashant

我们不使用定制 DDR。 但我不知道如何从 syscfg 或其他地方删除 DDR。 当我从 syscfg 中删除 DDR 时、 flash-phy-tuning-data 操作将失败。

如果您的定制电路板上没有 DDR、则您必须修改 UART_UNIFLASH 示例、以将缓冲器从 DDR 移动到 MSRAM。 请参阅以下链接：

e2e.ti.com/.../4788625

  如前所述、我更改了 linker.cmd 和 main、cpp。 但 UART uniflash 仍然失败：

钥匙是否已编程到电路板上？ 我观察到 HS-ROM FS 映像已编程到闪存中、并且我认为密钥尚未编程。 请使用 GP 格式的映像进行尝试。  

我不知道如何生成 sbl_ospi.release.tiimage 的 GP 格式。 我按照建议更改为 SDK10.0后、sbl_JTAG_uniflash LP 工程无法导入之前生成的闪存 json 文件。

.

然后我 导入 SDK10.0 JTAG_flash_diag 工程来读取闪存参数、但失败。

在 SDK 9.02中生成的闪存 json 文件为：

{

	"flashSize": 33554432,
	"flashPageSize": 256,
	"flashManfId": "0x20",
	"flashDeviceId": "0xBA19",
	"flashBlockSize": 65536,
	"flashSectorSize": 4096,
	"cmdBlockErase3B": "0xD8",
	"cmdBlockErase4B": "0xDC",
	"cmdSectorErase3B": "0x20",
	"cmdSectorErase4B": "0x21",
	"protos": {
		"p111": {
			"isDtr": false,
			"cmdRd": "0x03",
			"cmdWr": "0x02",
			"modeClksCmd": 0,
			"modeClksRd": 0,
			"dummyClksCmd": 0,
			"dummyClksRd": 0,
			"enableType": "0",
			"enableSeq": "0x00",
			"dummyCfg": null,
			"protoCfg": null,
			"strDtrCfg": null
		},
		"p112": {
			"isDtr": false,
			"cmdRd": "0x3C",
			"cmdWr": "0x02",
			"modeClksCmd": 0,
			"modeClksRd": 1,
			"dummyClksCmd": 0,
			"dummyClksRd": 7,
			"enableType": "0",
			"enableSeq": "0x00",
			"dummyCfg": null,
			"protoCfg": null,
			"strDtrCfg": null
		},
		"p114": {
			"isDtr": false,
			"cmdRd": "0x6C",
			"cmdWr": "0x34",
			"modeClksCmd": 0,
			"modeClksRd": 1,
			"dummyClksCmd": 0,
			"dummyClksRd": 7,
			"enableType": "0",
			"enableSeq": "0x00",
			"dummyCfg": null,
			"protoCfg": null,
			"strDtrCfg": null
		},
		"p118": {
			"isDtr": false,
			"cmdRd": "0x7C",
			"cmdWr": "0x84",
			"modeClksCmd": 0,
			"modeClksRd": 0,
			"dummyClksCmd": 0,
			"dummyClksRd": 0,
			"enableType": "255",
			"enableSeq": "0x00",
			"dummyCfg": null,
			"protoCfg": null,
			"strDtrCfg": null
		},
		"p444s": {
			"isDtr": false,
			"cmdRd": "0xEB",
			"cmdWr": "0x02",
			"modeClksCmd": 0,
			"modeClksRd": 1,
			"dummyClksCmd": 0,
			"dummyClksRd": 9,
			"enableType": "0",
			"enableSeq": "0x14",
			"dummyCfg": {
				"isAddrReg": false,
				"cmdRegRd":"0x00",
				"cmdRegWr":"0x00",
				"cfgReg":"0x00000000",
				"shift":0,
				"mask":"0x00",
				"bitP":0
			},
			"protoCfg": {
				"isAddrReg": false,
				"cmdRegRd": "0x00",
				"cmdRegWr": "0x00",
				"cfgReg": "0x00000000",
				"shift": 0,
				"mask": "0x00",
				"bitP": 0
			},
			"strDtrCfg": {
				"isAddrReg": false,
				"cmdRegRd": "0x00",
				"cmdRegWr": "0x00",
				"cfgReg": "0x00000000",
				"shift": 0,
				"mask": "0x00",
				"bitP": 0
			}
		},
		"p444d": {
			"isDtr": false,
			"cmdRd": "0xEB",
			"cmdWr": "0x02",
			"modeClksCmd": 0,
			"modeClksRd": 1,
			"dummyClksCmd": 0,
			"dummyClksRd": 9,
			"enableType": "0",
			"enableSeq": "0x14",
			"dummyCfg": {
				"isAddrReg": false,
				"cmdRegRd":"0x00",
				"cmdRegWr":"0x00",
				"cfgReg":"0x00000000",
				"shift":0,
				"mask":"0x00",
				"bitP":0
			},
			"protoCfg": {
				"isAddrReg": false,
				"cmdRegRd": "0x00",
				"cmdRegWr": "0x00",
				"cfgReg": "0x00000000",
				"shift": 0,
				"mask": "0x00",
				"bitP": 0
			},
			"strDtrCfg": {
				"isAddrReg": false,
				"cmdRegRd": "0x00",
				"cmdRegWr": "0x00",
				"cfgReg": "0x00000000",
				"shift": 0,
				"mask": "0x00",
				"bitP": 0
			}
		},
		"p888s": null,
		"p888d": null,
		"pCustom": { 
			"fxn": null
		}
	},
	"addrByteSupport": "1",
	"fourByteAddrEnSeq": "0x36",
	"cmdExtType": "NONE",
	"resetType": "0x3D",
	"deviceBusyType": "0",
	"cmdWren": "0x06",
	"cmdRdsr": "0x05",
	"srWip":  0,
	"srWel":  0,
	"cmdChipErase": "0xC7",
	"rdIdSettings": {
		"cmd": "0x9F",
		"numBytes": 5,
		"dummy4": 0,
		"dummy8": 0
	},
	"xspiWipRdCmd": "0x00",
	"xspiWipReg": "0x00000000",
	"xspiWipBit": 0,
	"flashDeviceBusyTimeout": 84000000,
	"flashPageProgTimeout": 120
}

在开发模式下、每次运行 SDK10.0 Java 脚本命令时、都没有 SoC 初始化日志消息。

'

让我浏览一下这些信息、然后再给您答复。

谢谢！

您好、凌云

   flashDeviceId 为0xBA19、这意味着它在3.0V 电压下工作。您能否检查电源和数据信号波形。  此处的注释是默认 EVM 板 NOR 闪存电源为1.8V。 您的设计应该会与我们不同。  

Linjun

尊敬的 Linjun：

今天、我们使用 ospi_flash_io_am243x-evm 项目成功写入和读取闪存。 闪存协议为1s-1s - 1s。 关键点是这样

每次更改 syscfg'protocol'时、我们需要再次从 JSON 加载。 CCS 工具将根据当前的"协议"值使用 json 文件填充闪存参数。

我们还测试了协议1s-1S-4S、但失败了。 读取数据时出现问题：

我会要求 Micron 解决这个问题。 你有什么想法,并自由地告诉我。

您好、凌云

  请上传原理图和 PCB 布局、OSPI 电源需要我们的硬件专家来审查。  谢谢。

Linjun

当我 更改闪存协议1s-1s-4s 时、虚拟时钟读取 = 0 (json 值为7)、OSPI 时钟输入= 200m、分频器= 4、闪存读取和写入都可以。

所以我做了一些测试：

1.使用 JTAG uniflash 将 SBL-null 写入闪存。 将引导模式切换到 QSPI 时、SBL-null 有效。

2.使用 UART uniflash 将 SBL-null 写入闪存、当将引导模式切换到 QSPI 时、SBL-null 有效。

3.使用上述闪存参数重新编译 sbl-ospi。 使用 UART uniflash 来编写 sbl-ospi 和 hello world。 当切换到 QSPI 引导模式时、sbl-ospi 打印一些信息、hello world 不打印任何内容。

因此我在 sbl-ospi main()中添加 loop_forever ,使用 JTAG 进行连接并进行调试。

从调用栈中、我们可以看到在 Bootloader_parseMultiCoreAppImage->Bootloader_verifyMulticoreImage->Bootloader_getMsgLen->Bootloader_findSeq 中 SBL-ospi 被阻止。 访问 x509_cert_ptr (0x6008000)后、它会崩溃。

凌云市

 您能否请 在此处上传工程示例.syscfg 以检查引导加载程序设置是什么？ 谢谢。

Linjun