[参考译文] TMS570LS1224：FEE - ECC 和 CRC 元数据

您好、Varban、

ECC 将存储在以下突出显示部分：

这个 ECC 不是在 FEE 驱动器中创建的、它是 TMS570LS12x 控制器本身支持的 ECC、它将被存储在上面突出显示的部分。 但是、如果 EEPROM 组或 EEPROM 组 ECC 段中的任何数据损坏、则会向我们显示 ESM 错误。

和校验和将与数据一起存储在块标头中、如下图中突出显示的部分所示：

同样、我不建议您启用该校验和、因为它是使用 Fletcher 校验和算法构建的、有一些局限性。 请参阅以下主题。

(+) TMS5701224：当写入前相应的 FEE 内容是0x00和0xFF 的组合并且所需的写入数据也是0x00和0xFF 的组合时、FEE 写入操作失败-基于 Arm 的微控制器-内部论坛-基于 Arm 的微控制器-内部- TI E2E 支持论坛

但是、您可以对整个 EEPROM 存储器使用 ECC 验证、因此可能不需要启用校验和。

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谢谢、此致、
Jagadish。

尊敬的  Jagadish：

让我们考虑一个示例场景：用户将一定数量的数据存储在 eEEPROM 中、存储在多个块中、一段时间后、块 N 中的3位会被损坏。

我还不清楚的是：
1) 1) ECC 控制器何时会检测损坏的位并尝试 修复  块 N 中的数据-通常会进行检查、或者仅在某个时候触发控制器(如读取命令)？

2)如果 ECC 控制器无法修复 数据、您表示 ESM 将生成错误、但它是否会在某个位置(可能在状态寄存器中)指定哪个 块恰好 是包含损坏数据的块？

谢谢！

Varban

您好、Varban、

Unknown 说：

1) ECC 控制器何时会检测到损坏的位并尝试 修复  块 N 中的数据-例行检查或仅在触发某种控制器时(如读取命令)？

短路

1.第一个明显是当你读取对应的位置时,我的意思是每当我们读取对应的损坏位置时, ECC 验证将失败,我们将得到不可纠正的 ECC 错误。

2.除第一种情况外、CPU 还将推测取数据到 ATCM 存储器中的不同位置(闪存或者 RAM)。 只要这种推测取数据发生在损坏的存储器位置、那么它将根据错误类型再次立即创建可纠正或不可纠正的 ECC ESM 错误标志。

Unknown 说：

2)如果 ECC 控制器无法修复 数据、您表示 ESM 将产生错误、但它是否会指定某个位置(可能在状态寄存器中)哪个 块究竟 是哪个块有损坏数据？

是的、会提供。

下面突出显示的寄存器将提供相应的错误地址。

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谢谢、此致、
Jagadish。

尊敬的  Jagadish：

感谢您提供信息丰富的回复。 最后一点：

如果读取操作时出现可纠正的错误-闪存控制器是否会返回校正的数据？

或者、程序员需要执行一些额外的操作来查询 ECC 逻辑来对其进行纠正？

谢谢！