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[参考译文] MSPM0L1228：使用两个组的闪存存储器的编程/擦除周期

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: MSPM0L1228
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1411835/mspm0l1228-program-erase-cycles-for-flash-memory-using-two-banks

器件型号：MSPM0L1228

工具与软件：

您好！

在 MSPM0L1228闪存中、

在下部32KB 闪存上最多可执行100000个编程/擦除周期、在其余闪存上最多可执行10000个编程/擦除周期

如果主闪存被拆分为两个存储体、上面提到的编程/擦除周期是分别应用于每个存储体、还是应用于两个存储体组合？

例如、  

组0： 100000 和 10000、   组1： 100000 和 10000

或者

组0 +组1： 100000 和 10000

此致！

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    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Sho：

    [quote userid="59845" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1411835/mspm0l1228-program-erase-cycles-for-flash-memory-using-two-banks bank0 + bank1： 100000 和 10000

    我更喜欢这个。

    它除以地址。

    B.R.

    SAL