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[参考译文] MSPM0L1227：一些有关闪存写入/擦除的问题

admin
Guru**** 2386610 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1442580/mspm0l1227-some-questions-about-flash-writing-erasing

器件型号：MSPM0L1227

工具与软件：

您好！

我们收到了客户的一些问询。 您能在下面回答他们的问题吗？

<闪存编程/擦除期间>

编程/擦除期间(设置 CMDEXEC 寄存器之后)、CPU 是否应等待编程/擦除完成？

或者 CPU 在此期间是否可以执行其他处理？

 

< DMA >

是否可以通过指定从 CPU(FW)到 DMA 的地址和数据来发出编程/擦除指令？

使用闪存控制器进行编程/擦除是通用方法吗？

 

<闪存持续时间(1)>

当只编程100字节并执行扇区擦除(1KB)时、未编程900字节的存储器耐写次数是否也计为一次？

 

<闪存持续时间(2)>

"擦除/编程"周期是否计为100k/10k 个闪存寿命周期的一组？

例如、如果将8位重新写入(1到0) 8次(每个1位)、并执行擦除(00h -> FFh) 1次、那么存储器耐久性能否计为1次？

 

<硬件复位>

在提供 VDD 期间长时间保持 NRST=LOW 是否没有问题？

 

谢谢。此致、
英明  

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、英明  

    L1227是双组器件。

    闪存读取/擦除限制是：在单个存储体内、无法同时擦除/写入和读取闪存。

    [报价 userid="1059" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1442580/mspm0l1227-some-questions-about-flash-writing-erasing "]编程/擦除期间(设置 CMDEXEC 寄存器之后)、CPU 是否应等待完成编程/擦除？[/QUOT]

    最好等待闪存 CMD EXE 完成。

    [报价 userid="1059" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1442580/mspm0l1227-some-questions-about-flash-writing-erasing "]

    是否可以通过指定从 CPU(FW)到 DMA 的地址和数据来发出编程/擦除指令？

    使用闪存控制器进行编程/擦除是通用方法吗？

    [报价]

    否、无法使用带有 DMA 的 CPU 来擦除/编程闪存。

     擦除/编程闪存的唯一方法是通过 FLASHCTL。

    但我们可以使用 DMA 从闪存读取。

    Unknown 说：
    仅编程100字节并执行扇区擦除(1KB)时、未编程900字节的存储器耐写次数是否也计为一次？

    擦除1K、就会将1k 闪存区域设置为0xFF。

    编程100字节、然后在同一1K 区域扇区中再次运行"擦除"。

    只 消耗1K 区域耐久度的1/10。

    [报价 userid="1059" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1442580/mspm0l1227-some-questions-about-flash-writing-erasing "]例如、如果8位被重写(1到0) 8次(每1位重写)、并执行擦除(00h -> FFh) 1次、存储器耐久性能否计为1次？

    是的、计为一次。

    但是您不能以8次的时间对闪存进行编程、因此不存在此类 Flashctl 命令。

    您可以在一次编程操作中对1个闪存字(64位)进行8次编程、1个字节(8位)。

    [quote userid="10509" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1442580/mspm0l1227-some-questions-about-flash-writing-erasing 是否可以在提供 VDD 期间长时间将 NRST=low 保留下来?

    没关系、只有当 RESET 处于高电平时、M0才会运行。

    此致、

    Helic