[参考译文] MSPM0G3507：擦除存储器

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1464602/mspm0g3507-erasing-the-memory

器件型号：MSPM0G3507

工具与软件：

您好！

我有一个关于内存的问题。我在程序中标记了两个位置用于参数(HWParam 地址：0x00000400 (R))和数据(ParamConfig 地址： 0x00000800 (RW))。

这些参数在初始化时写入、不应更改。数据在程序期间被覆盖。

device_linker.cmd

-uinterruptVectors
--stack_size=512


MEMORY
{
    IntVectors      (RW)  : origin = 0x00000000, length = 0x00000400

    HWParam         (R)   : origin = 0x00000400, length = 0x00000400
    ParamConfig     (RW)  : origin = 0x00000800, length = 0x00000400

    FLASH           (RX)  : origin = 0x00000C00, length = 0x0001F400
    SRAM            (RWX) : origin = 0x20200000, length = 0x00008000
    BCR_CONFIG      (R)   : origin = 0x41C00000, length = 0x00000080
    BSL_CONFIG      (R)   : origin = 0x41C00100, length = 0x00000080
}

SECTIONS
{
    .intvecs:   > 0x00000000

	//Přidáno
    .myData : palign(8) {} > HWParam
    .controllerData : palign(8) {} > ParamConfig

    .text   : palign(8) {} > FLASH
    .const  : palign(8) {} > FLASH
    .cinit  : palign(8) {} > FLASH
    .pinit  : palign(8) {} > FLASH
    .rodata : palign(8) {} > FLASH
    .ARM.exidx    : palign(8) {} > FLASH
    .init_array   : palign(8) {} > FLASH
    .binit        : palign(8) {} > FLASH
    .TI.ramfunc   : load = FLASH, palign(8), run=SRAM, table(BINIT)


    .vtable :   > SRAM
    .args   :   > SRAM
    .data   :   > SRAM
    .bss    :   > SRAM
    .sysmem :   > SRAM
    .stack  :   > SRAM (HIGH)

    .BCRConfig  : {} > BCR_CONFIG
    .BSLConfig  : {} > BSL_CONFIG
}

这是我写入存储器的方式