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[参考译文] TAS5825M:TAS5825与 TAS5766M 共同布局

Guru**** 1111300 points
Other Parts Discussed in Thread: TAS5766M
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1065879/tas5825m-co-layout-tas5825-with-tas5766m

部件号:TAS5825M
“线程”中讨论的其它部件:TAS5766M

尊敬的音频支持团队:

这是位在台湾的 FAE Dave。

由于供应问题,我们的客户希望将 TAS5825与 TAS5766M (VQFN 封装)进行联合布局。

由于他们的设计空间有限,我想确保将这两个集成电路合起来向客户解释的关键所在。

再次感谢您的支持!

戴夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,Dave

      没有特殊的联合布局规则,它们应该负责两种设备的布局规则,包括热,电流回路,去耦电容器等。 您可以提供如下建议:    

    • PowerPAD 需要焊接到印刷电路板上,必须使用连接顶部,底部和内部层的适当铜面积和铜视图。
    • 去耦电容器:必须将高频去耦电容器置于尽可能靠近电源引脚的位置;  
    • 通过输出电感器和小过滤器盖保持每个输出的电流回路,并尽可能小,紧固地返回接地。 此电流回路的大小决定其作为天线的有效性。
    • 接地:建议使用大的公共接地平面。 PVDD 去耦电容器必须连接到 GND。
    • 输出滤波器:请记住选择能够处理设备高短路电流的电感器。 LC 过滤器必须放置在靠近输出的位置。
    • 避免将其他产生热量的组件或结构放置在放大器附近(包括终端设备中的上方或下方)。
    • 如果可能,请使用更高的层数 PCB,为设备提供更多的散热能力,并防止铜信号和功率平面的轨迹破坏顶部和底部的连续铜。
    • 尽可能将设备放在远离 PCB 边缘的位置,以确保热量可以从设备的所有四侧移开。
    • 避免通过痕迹或弦线切断设备到周围区域的热量流。 相反,将轨迹垂直于设备,并在垂直于设备的列中对齐视象。