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[参考译文] TAS5731M:TAS5731M 自举电容值

Guru**** 2533890 points
Other Parts Discussed in Thread: TAS5731M

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/942122/tas5731m-tas5731m-bootstrap-capacitor-value

器件型号:TAS5731M

你(们)好。

TAS5731M 的 EVM 用户指南中、我看到自举电容为0.0033uF。 是否可以使用 0.022uF、50V,X7R? 如何评估电容是否正确?

非常感谢。

此致、

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    您好!

    建议按照我们的建议使用33nF 电容器。

    这是自举电容器保持的电荷用于为高侧驱动器供电。 当 HS FET 导通时、电容器放电、当 LS 导通时、电容器重新充电。 在硬削波条件下、HS 在多个周期内保持导通、需要使用 BST 电容将电压保持在 BST 欠压阈值以上、以使 FET 驱动器正常工作。

    此致、

    Sam

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    尊敬的 Sam:

    明白了。 我会将您的建议转发给客户。

    非常感谢。

    此致、

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    尊敬的 Sam:

         我知道自举的功能、但 我们的材料库中没有0.033uF。  我们有0.022uF、X7R、50V 或0.047uF,X7R、25V。 如果是、您更愿意使用哪种?

         此外、如果我们使用0.022uF 通过音频性能、热测试和 EMI 测试、我们是否可以在 MP 级使用0.022uF、X7R、50V?

    此致、

    小惠  

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    您好,Xiaohui,

    0.022uF 也应该良好。

    此致、

    Sam

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    谢谢!