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器件型号：TAS5751M-TAS5733L-SW 主题中讨论的其他器件：TAS5733、 TAS5733L、 TAS5805
我们正在使用 TAS5733开发一款产品、并且希望使用 AGL 4 (在第1卷和第2卷之后的全频带 AGL 块)来限制高电平下的音量、以防止数据表第18页简要描述的削波。 但是、当音量达到攻击阈值("T"参数、寄存器0x44)时、音频似乎会严重失真。 在 AGL 的默认设置下、失真在相对较低的体积下发生、而增大 T 允许在失真发生之前实现较高的体积。 AGL 级本身一旦激活就会导致失真。 失真的声音实际上比单从常规削波就会出现的情况严重得多。
初始化期间设置了以下寄存器设置：
寄存器0x1B：= 0x00 (示波器调整)
寄存器0x05：= 0x42 (关断)
寄存器0x25：= 0x01132045 (设置 D =+CH1、C =-CH1、B =-CH2、A =+CH2)
寄存器0x06：= 0x03 (软静音)
寄存器0x07：= 0x00C0 (主卷0dB)
寄存器0x50：= 0x0F700010 (R CH 使用 L CH EQ 系数)
寄存器0x46：= 0x00000028 (打开 AGL 4 (全频带 AGL)、将 AGL 1..3 (多频带 AGL)保持关闭状态)
(笑声)
寄存器0x05：= 0x02
寄存器0x06：= 0x00
寄存器0x08和0x09用于控制音量和平衡。 输入上的所有11个双二阶都配置为增益1 (b0 = 0x00800000、所有其他系数= 0)。 采样率为48kHz。
如前所述、编程寄存器0x44可在失真发生前实现更高的容量。 将寄存器0x45设置为极长的攻击和释放时间似乎没有什么不同。 文档中未充分说明 α 和 ω 参数、以了解如何对这些设置进行编程、但在大多数情况下、我们希望默认参数能够产生良好的结果。
请提供帮助。
