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[参考译文] LMK5B12204：从 EEPROM 启动时的电流消耗高于 ROM

admin
Guru**** 2383260 points
Other Parts Discussed in Thread: LMK05318B, LMK05318BEVM, LMK5B12204, LMK05318B-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1523650/lmk5b12204-higher-current-draw-when-started-from-eeprom-than-rom

器件型号：LMK5B12204
Thread 中讨论的其他器件：LMK05318BEVM、LMK05318B、 LMK05318B-Q1

工具/软件：

又是我。 Slight smileμ s

一个 TCS 文件生成了一个 HEX 寄存器值文件和一个 EEPROM 映射文件、全部3个文件后附加。

当我启动到 ROM 并加载寄存器时、我得到一个良好的状态、所有内容都被290ma 电流消耗锁定。

如果我使用 MAP 对 EEPROM 进行编程并启动到 EEPROM、我将获得一个良好的状态、所有内容都已锁定、但电流消耗为350mA。

我被咬死了。

e2e.ti.com/.../lmk5b_2D00_1mhz_2D00_rev2.tcse2e.ti.com/.../lmk5b_2D00_1mhz_2D00_rev2_2D00_reg.txte2e.ti.com/.../lmk5b_2D00_1mhz_2D00_rev2_2D00_eeprom_2D00_map.txt

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    TI__Guru**** 2383260 points
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    您好、George、

    您能给我发送两个测试的 reg 文件转储吗？ 我想比较寄存器设置。

    南...

    1.执行测试#1 (ROM 然后加载配置)

    2.读取所有寄存器

    3.导出文件#1.

    4.执行测试#2 (对 EEPROM 进行编程、然后断电再接通)

    5.读取所有寄存器

    6.导出文件#2.

    此致、

    Jennifer

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    TI__Guru**** 2383260 points
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    尊敬的 Jennifer：

    这两个文件已附加。  这里也有区别... 

    diff -uN registers-rom-test.txt registers-eeprom-test.txt
--- registers-rom-test.txt	2025-06-06 12:58:00.608591601 -0600
+++ registers-eeprom-test.txt	2025-06-06 12:55:54.842192459 -0600
@@ -6,10 +6,10 @@
-R8	0x000843      +R8	0x000802
-R12	0x000C00  +R12	0x000C03
-R125	0x007D85  +R125	0x007DA2
-R126	0x007E23  +R126	0x007E51
-R127	0x007F6C  +R127	0x007F00
-R146	0x009289  +R146	0x0092C7
-R147	0x009320  +R147	0x00930E
-R158	0x009E00  +R158	0x009E10
-R160	0x00A0FC  +R160	0x00A000
-R161	0x00A116  +R161	0x00A109

    e2e.ti.com/.../registers_2D00_rom_2D00_test.txte2e.ti.com/.../registers_2D00_eeprom_2D00_test.txt

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    TI__Guru**** 2383260 points
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    您好、George、

    我正在查看您的文件。 让我尽快答复。

    此致、

    Jennifer

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    TI__Guru**** 2383260 points
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    别担心。

    其实我有更多的信息,它甚至是陌生人..   每3个器件中有2个发生额外的电流消耗。  第三个使用相同的290ma、无论它在哪个模式下启动。

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    TI__Guru**** 2383260 points
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    哦,我忘了要问。。。  假设设置没有差异、ESD 事件是否会导致器件从 EEPROM 运行时消耗更多电流？  不管怎样,从历史上看,我是一个磁性的奇怪的问题,所以不要花很多时间在它。  Slight smileμ s

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    TI__Guru**** 2383260 points
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    您好、George、

    我正在使用 LMK05318BEVM 评估、但禁用其他4个输出来模拟 LMK5B12204。

    电源为3.3V (板载 LDO 被旁路)。

    测试#1 (ROM 配置)：

    1. 将 ROM-TEST HEX 文件加载到 TICS Pro 中。
    2. 对 EEPROM 进行编程。
    3. 以 EEPROM 模式启动。
    4. 电流为206 mA。 PRIREF 有效、但 DPLL 未锁相或锁频、BAW 锁为0。

    测试#2 (EEPROM 配置)：

    1. 将 EEPROM-TEST 十六进制文件加载到 TICS Pro 中。
    2. 对 EEPROM 进行编程。
    3. 以 EEPROM 模式启动。
    4. 电流为285 mA。 PRIREF 有效、并且 DPLL 被锁定。

    我会观察到主要寄存器的差异：R12[0]对于 ROM 配置为0、对于 EEPROM 配置为1。

    R12[0] 保留位、必须设置为1才能让器件在启动时自动启动 PLL 校准。 否则、当设置为0时、器件会在写入配置后停止、从而阻止正常运行。

    我看到对于 ROM 回读、DPLL 被标记为已锁定(R13 = 0x00)。 但是、如果我在启动后使用您的文件、除非器件在启动后使用 R12[0]= 1启动或我写入 R12[0]= 1、否则我无法锁定 DPLL 或 APLL。

    在我的工作台上、我看到290 mA 是使用您的配置时的典型功耗、但我没有达到350 mA。 如果器件在某个点损坏、则电流消耗可能会更高。

    1. 您能否详细说明在您的两项测试中 R12[0]是否都设置为1？
    2. 此外、这是使用评估模块还是定制电路板？ 如果使用定制板、请分享原理图。

    此致、

    Jennifer

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    TI__Guru**** 2383260 points
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    [报价 userid="451450" url="~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1523650/lmk5b12204-higher-current-draw-when-started-from-eeprom-than-rom/5862169 #5862169"]
    • 您能否详细说明在您的两项测试中 R12[0]是否都设置为1？
    • 此外、这是使用评估模块还是定制电路板？ 如果使用定制板、请分享原理图。
    [/报价]

    在用于 ROM 测试(寄存器提交方法)的寄存器导出文件中, R12 = 0x03 ,但它没有被写入,因为数据后跟的第9.5.5节说... 

    Write the register settings from lower to higher addresses (R0 to R352) while applying the following register
mask (do not modify mask bits = 1):
• Mask R12 = A7h (Device reset/control register)

    因此在寄存器读回中、R12 = 0x00。

    对于 EEPROM 测试、我必须使用 SRAM 直接写入方法、 该方法的 EEPROM_IMG_IDX12=24 (0x18)、但该测试的寄存器读回确实显示 R12 = 0x03。

    现在我很困惑。

    LMK5B12204和 LMK05318B 数据表都说使用0xA7屏蔽 R12。  5318B 寄存器编程手册在表1-14中展示了以下内容、这些内容也同意... 

    2   RESERVED R   0x0 Reserved
1:0 RESERVED R/W 0x1 Reserved

    但在表2-15中、显示了相关内容  

    2 RESERVED    R   0x0
1 PLLSTRTMODE R/W 0x0 PLL Startup Mode . When using cascade mode, PLL1 is fixed to a
                      center value while PLL2 locks. Then PLL1 performs final lock.
0 AUTOSTRT    R/W 0x1 Autostart
                      If AUTOSTRT is set to 1, the device will automatically initiate the
                      PLL and output start-up sequence after a device reset. A device
                      reset can be triggered by the power-on-reset, PDN pin, or by writing
                      to the RESET_SW bit. If AUTOSTRT is 0, the device will halt after
                      the configuration phase; a subsequent write to set the AUTOSTRT
                      bit will initiate the start-up sequence. In Test mode, the AUTOSTRT
                      bit is ignored after device reset, but start-up can be triggered by a
                      subsequent write to set the AUTOSTART bit.

    12204寄存器编程手册没有 SRAM 映射的第二部分、但表15显示的内容与5318B 2-15相同。

    此外、如果您查看 R12[5]、其说明也不一致。  

    因此、0xA7掩码的眼图是否错误、因为它屏蔽了位5、2、1、0？  是否真的应该是0x84来屏蔽 R12[7]和 R12[2]？

    该板是自定义的"基本系统"。  它具有表6-1引脚功能中指定的器件以及所有电容和上拉/下拉电阻。  这几乎与图10-4中针对所有 LVCMOS IN 和 OUT 进行调整的原理图完全相同、并且具有适当的分压器、可从3.3V 转换到2.5V。

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    您好、George、

    1. 首先、我需要阐明有关 ROM 的一些内容。 我已经在一个类似器件的数据表中删除了此类功能：LMK05318B-Q1 (汽车级版本)。 我正在对 LMK05318B/LMK5B12204进行几项数据表改进。 其中一项更新是删除 ROM 作为特性/功能、因为不建议客户使用内部 ROM 页寄存器。 您仍然可以从 ROM 启动、但我不建议依赖 ROM 中的默认寄存器设置。
    2. 好的、我看到了您所做的操作：从 ROM 启动、然后使用建议的寄存器序列对器件进行编程。 在这种情况下、由于掩码的原因、不会写入 R12[1]。
      1. 数据表假设 R12[1]已设置、因为它在默认 EEPROM 页面中设置、并在 TICS Pro 中设置默认配置。 不过、ROM 不会设置该位。
    3. 现在、谈谈 EEPROM 编程：活动寄存器和 EEPROM 之间没有1：1地址映射。 这是因为有效寄存器多于 EEPROM 所需的字节(EEPROM 不存储状态位)。
      1. 这意味着当您看到"EEPROM_IMG_IDX12=24 (0x18)"时、它不对应于寄存器12。
      2. 数据表的"编程"部分提供了映射差异的很好的视图：
      3. 可以在此处找到完整的 EEPROM 映射。
        1. e2e.ti.com/.../lmk05318b_5F00_cust_5F00_eeprom_5F00_map_5F00_feb202025.xlsx
      4. 此映射将添加到编程手册或数据表中。
    4. 关于编程手册、感谢您提请我注意。 默认/出厂 EEPROM 配置集
      1. 寄存器字段 十六进制 12月 位 注释
        RESET_SW 0x00C 12 7. 屏蔽、使 APLL 重校准序列不会启动(等到对所有寄存器进行编程后)
        SYNC_SW 0x00C 12 6. 如果需要同步输出、用户可以进行修改(不需要屏蔽)
        SYNC_AUTO_DPLL 0x00C 12 5. 屏蔽、因为我们不建议更改默认 EEPROM 设置(设置为0)。 此函数已被弃用、应被视为保留位。
        SYNC_AUTO_APLL 0x00C 12 4. 如果需要在启动时锁定 APLL 后进行自动同步、用户可以进行修改(无需掩码)
        SYNC_MUTE 0x00C 12 3. 如果需要在同步期间静音、用户可以进行修改(不需要掩码)
        保留 0x00C 12 2. 因为这是一个保留位
        PLLSTRTMODE 0x00C 12 1. 掩码、因为我们不建议更改默认 EEPROM 设置(设置为1)
        自动 STRT 0x00C 12 0 掩码、因为我们不建议更改默认 EEPROM 设置(设置为1)

    您的困惑是可以理解的、我已经记下以澄清编程手册。

    此致、

    Jennifer

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    TI__Guru**** 2383260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢您的详细答复！！  电子表格最有用。

    我已经明白 EEPROM 地址没有映射到寄存器编号、但让我感到困惑的是 LMK05318B 寄存器编程手册中的两个部分。  我假设第2节是 SRAM/EEPROM 地址、而第2节中的 R12似乎与第1节中的 R12相关。  不管怎样,我现在得到它和0xA7掩码是完美的意义。

    有趣的是、我今天上午刚收到一堆 Q1器件。  数据表中的日期仍为 2024年9月25日、因此我想会在某个时候发布更新？  此外、LMK05318B 寄存器编程手册是否会继续适用于 Q1和12204？

    再次感谢您！  我会尽量不要再打扰你一段时间:)