[参考译文] CDCLVC1104：晶体振荡器的建议器件型号

尊敬的  Vicente：

感谢您的支持。

LMK6C  输出压摆率最小值为 2V/ns、HCSL 的最大 12V/ns。

tr 没有此输出压摆率、并且 LVCMOS/LVCMOS tf 仅为典型值和 最大值（无最小规格）。

您能否查看其他器件型号来对压摆率感到满意？  

我找不到 LVCMOS XO（压摆率的最小/最大规格或 tr /<xmt-block1> tf</xmt-block>）（例如 tf（例如 Si 时间）。

MHz 振荡器 — SiTime

此致、

TTD  

尊敬的 TTD：

如果您计划使用 LVCMOS 缓冲器、我不知道为什么要查看 HCSL 规格。 LMK6C 没有为 VOH 指定的最大输出压摆率、但数据表确实指定了 LMK6C-LVCMOS 的 20-80% VOL 的典型上升时间。 要确定最大压摆率、可以简单地从 VOH 中减去 VOL（对于 3.3V 情况、该值为 1.98V）、将其乘以 0.6 (1.118V)、然后除以典型上升时间 (1.188V / 0.5ns = 2.376 V/ns)。 此值满足 CDCLVC1104 的限制、但我建议实际上将 LMK1C1104 与 LMK6C 一起使用。 LMK1C1104 是一款具有较宽输入压摆率容差范围的 LVCMOS 缓冲器（它仅指定 0.1 V/ns 的最小输入压摆率）。 它具有更好的抖动性能、并与 CDCLVC1104 引脚对引脚兼容。

谢谢、

Michael

您好、 Michael：

感谢您的建议。

得到了如何使用 VOH、VOL 和典型上升时间计算压摆率。

问题 1

 LMK6C 是否具有最短的上升和下降时间？

我已经 在我的电路板上采用了 CDCLVC1104、因此我想估计最坏的情况。

我知道 LMK1C1104 是最好的。  

问题 2
  发布 CDCLVC1104 的目的是什么（尤其是压摆率）？
我想知道是否指定转换率来保持因表征而导致的本底噪声和抖动规格的精度。

问题 3
同样、当压摆率比规格更快或更慢时、与时钟输入相关的每种风险是什么？

此致、

TTD

尊敬的 TTD：

请参阅以下数据表中的图像、其中指定了 LMK6C 不同负载电容值的上升/下降时间。  

指定了 1ns 的最大上升/下降时间、但对于最短上升/下降时间没有此类规格。

谢谢、

Michael

我知道上升/下降时间没有温漂、因此也没有最小值规定。 因此、如果我以典型值估算 2.376 V/ns 下的压摆率、它将处于 CDCLVC1104 输入压摆率的 MIN = 1V/ns /max 4V/ns 范围内、那么我的理解是正确的吗？

另外、请回答 Q2 和 Q3。

问题 2
   发布 CDCLVC1104 的目的是什么（尤其是压摆率）？
我想知道是否指定转换率来保持因表征而导致的本底噪声和抖动规格的精度。

问题 3
同样、 当压摆率比规格更快或更慢时、与时钟输入相关的每种风险是什么？