主题中讨论的其他部件:LMK0.0304万,
数据表中的图34显示了当与具有内部终端电阻器的器件一起使用时如何对LVDS输出进行交流耦合。 这方面的问题是LVDS信号被双端接衰减。 我在LMK0.0304万上的另一个e2e POST中注意到,为了 确保LVDS驱动器的启动,至少需要1K欧姆的直流端接。 在LMK0.0308万上,当交流耦合输出以减少双端接的整体衰减时,图34中的100欧姆近端直流端接电阻是否可以增加到1K欧姆?
感谢您的帮助,
Mark Dahlman
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数据表中的图34显示了当与具有内部终端电阻器的器件一起使用时如何对LVDS输出进行交流耦合。 这方面的问题是LVDS信号被双端接衰减。 我在LMK0.0304万上的另一个e2e POST中注意到,为了 确保LVDS驱动器的启动,至少需要1K欧姆的直流端接。 在LMK0.0308万上,当交流耦合输出以减少双端接的整体衰减时,图34中的100欧姆近端直流端接电阻是否可以增加到1K欧姆?
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Mark Dahlman
Mark,您好!
如果您参考下面的帖子,Alan建议在终端上使用1kΩ。