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是否可以在使用全辅助校准模式时内插 CAPCTL 和 DACISET 设置？ 我想存储5MHz 调优步长的设置、但能够内插2.5MHz 调优步长。 内插这些设置是否有问题、甚至只是使用先前校准频率的设置？ 例如、对于8002.5MHz、使用8000MHz 的 CAPCTL 和 DACISET 设置？
Josh、您好！
通常、应该可以按照您描述的方式在全辅助模式下进行插值。 就 VCO 的机械结构而言、VCO 的增益确实随 Capcode (CAPCTL)的变化有点小、因此插值的斜率不一定是从 VCOmin 到 VCOmax 的线性； 但是、如果您每5MHz 存储一次校准点、这两个点之间的每个区域都将显示为近似线性的。 实际上、每个 Capcode 在可用电荷泵输出调优范围内通常涵盖至少±40MHz 的范围。 不过、每个 Capcode 的调整范围超出了基于 VTune 的锁定检测的限制、因此这并不一定意味着您可以以40MHz 的步长正确进行插值。 5 MHz 步长听起来非常合理。
稍微扩展 VTune 锁定检测机制：LMX2594监测 VTune 电压、并将高/低比较器阈值限制设置为比标称值~1.25V 高/低200mV。 随着 Capcode 中心频率距离工作频率越来越远、VTune 电压将在一个方向或另一个方向上发生更多变化。 如果距离 Capcode 中心太远、则可能超出 VTune 比较器限制范围、锁定检测将不会生效(即使您可能已锁定)。 由于 MOSFET 会保持饱和(< 0.7V、> 1.8V)、电荷泵也倾向于在调谐范围的边缘变得不平衡、但根据设计、这应始终处于远高于锁定检测阈值的位置。 因此、当我说"可用电荷泵输出调谐范围"时、请考虑在大约0.7V 至1.8V 之间
DACISET 值控制 VCO 振幅、也可以线性插值。 允许的 VCO 振幅有更多的纬度、因为极端角的振幅校准中内置了大量的过程裕度。 对于一个标称器件、使 DACISET 过高±10个代码并不是一个大问题。 在某些时候、振幅将过高、振荡器晶体管将停止线性运行、这会增加 VCO 相位噪声。 如果振幅太小、压摆率会更低、相位噪声也会增加。 实际上、这两种情况(可能是振荡器晶体管的深度饱和)都不会影响频率锁定。 使用5MHz 内插、您将拥有足够的分辨率来精确设置 DACISET 值。 您甚至可以考虑设置 DACISET 值而不是更广泛的步骤、这样您就可以使用插值2.5 MHz 步长更新 Capcode、但只能使用例如20 MHz 步长更新 DACISET、以提高短跳频的跳频跳频速度。
如数据表中所述、在11900MHz 至12100MHz 的范围内(从 VCO4到 VCO5的边界)、使用 VCO 辅助可能会出现一些问题。 可能无法按照该范围中的建议执行内插、因为该范围任一侧 VCO 的确切边界取决于过程。 对于该边界、即使是完全辅助代码也可能在整个 PVT 中保持不变。 对于此 VCO 边界、我建议按照7.3.6.1中的数据表说明进行操作、或者如果该频率范围在您的系统需求范围内、则特别在该区域执行某种三温度校准。
此致、
Derek Payne
