[参考译文] LMK04828：采用 ADS42JB46EVM 的 LMK04828设计

Nan、您好！

这复制了 LMK04828BEVM 上的操作、并遵循数据表中关于铁氧体磁珠的建议指南(在30MHz 至3GHz 范围内、介于100Ω Ω 至200Ω Ω 之间)。

LMK04828数据表详细说明了我们如何获得铁氧体磁珠指南。 尽管如此、之前在 LMK04828BEVM 布局中做出的一些有问题的决策一直保留在原理图中、例如选择对某些电源使用第二层铁氧体磁珠(FB4)。 我建议阅读 LMK04828的数据表、尤其是图41和第11节、以获得有关铁氧体磁珠选择和放置的详细指导。

此致、

Derek Payne

NaN、

铁氧体磁珠的选择与其说是为了阻断特定频率、而是为了覆盖内部 LDO 响应、合理旁路电容值和片上旁路频率响应之间产生的间隙。 LDO 开始在10MHz 以上逐渐减小；旁路电容有助于在10s MHz 范围内实现极小的值；并且有足够的板载去耦电容和键合线电感来限制超过大约1GHz 的噪声量、从而逃逸电源引脚和片外旁路。 但在大约30MHz 至1GHz 的范围内、需要另一种形式的噪声抑制。 100Ω 200Ω 建议将 Ω 至 Ω 以100MHz 为中心、30MHz 时无需特定的阻抗、但更高的电阻通常会更好。 铁氧体磁珠特性在高于100MHz 的频率下通常更有利、因此在10MHz 至100MHz 的范围内、我们更严重地依赖于局部旁路电容器、而铁氧体磁珠仅提供一些抑制。

我们的 EVM 使用 Murata 的 BLM18AG121SN1D。 这当然不是唯一可能的铁氧体磁珠选择、但它展示了所需的特性：30MHz 时最大阻抗约为一半、总阻抗永远不会高于200Ω Ω、可接受的效率高达1GHz (尽管阻抗开始迅速减小)。 如果您正在寻找类似的器件、则该器件的市场频率为120Ω@ 100MHz。

此致、

Derek Payne