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器件型号：LMK05318B 我现在使用的是 LMK05318B。 当我将0x2A 寄存器的值从0x1写入0x9、然后断电并上电时、我发现该寄存器没有任何变化。
数据表：
9.5.6.1使用方法1进行 EEPROM 编程(寄存器提交)可按照此序列使用活动寄存器配置对 SRAM 和 EEPROM 进行编程。
1.将所需的配置编程到活动寄存器(请参阅第9.5.5节)。 这需要以寄存器映射格式进行寄存器设置。
2.使用寄存器确认写入 SRAM。
3.对 EEPROM 进行编程。
我们的 n ü：
将09h 写入 R42（0x2A）
2.将40h 写入 R157（0x9D）
3.将 EAh 写入 R164 (NVMUNLK)（0xA4）
4、将03h 写入 R157 (NVM_ERASE_PROG 位)（0x9D）
5.关闭电源，然后打开电源；
；R156（0x9C）仍保持1 μ A
；R42 (__LW_AT__0x2A）仍保持1 μ A
我在断电前已读取寄存器值、该寄存器成功写入。
