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[参考译文] CDCI6214:LVCMOS 驱动强度

Guru**** 2587345 points
Other Parts Discussed in Thread: CDCI6214

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/973616/cdci6214-lvcmos-drive-strength

器件型号:CDCI6214

您好!

CDCI6214修订版 e 数据表我假设 CH0 LVCMOS 驱动强度有一个排印错误:在秒 6.14我们可以在正常模式(28欧姆)或弱模式(80欧姆)之间进行选择;

但在 TICS PRO 和数据表表67中、我们可以在正常模式(1h)或快速模式(3h)之间选择寄存器 CH0_LVCMOS_DRV。

您的意思是:

  • CH0_LVCMOS_DRV=正常模式(1h)=弱模式(80 Ω);
  • CH0_LVCMOS_DRV=快速模式(3h)=正常模式(28 Ω)

谢谢、

Giacomo。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Giacomo、

    正确的是、表示法不一致。 它不应是"正常"和"快速"、而应是"缓慢"和"正常"。

    SO CH0_LVCMOS_DRV =慢速模式(1h)=弱模式(80 Ω)

    CH0_LVCMOS_DRV =正常模式(3h)=正常模式(28 Ω)

    此致、
    Hao