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[参考译文] LMX2594:LMX2594锁定时间

Guru**** 2536790 points
Other Parts Discussed in Thread: LMX2594

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time

器件型号:LMX2594

你好  

我们有两种设计使用相同的 LMX2594原理图

这两种设计的布局相同、但电路板的布局相同。在一种设计中、 我们获得的锁定时间比另一种设计的锁定时间多出20us。

它不是参考、部件精度或 SPI 问题。

布局中是否有可能导致两种类似设计具有不同锁定时间的东西?

谢谢

Tamir  

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    您好、Tamir、

    这很有趣、我认为只有环路滤波器的布局可能很重要。 如果两种设计中的这一部分布局相同、则额外的锁定时间应由其他因素造成。  

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    你(们)好、Noel。

    我正在与塔米尔合作,我将从这里继续进行这一讨论。

    正如 Tamir 提到的、我们具有相同的布局、相同的环路值、相同的频率。  

    此外、我们还观察到  与热/冷相关的现象。 如果我冷却装置(冷却喷雾器或冷却室)、这2种设计将获得相同的结果(将锁定时间缩短至预期值)。

    我们使用的是"部分辅助:模式。

    有什么想法吗?

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    您好、Artom、

    您是在冷却其中一个装置还是同时冷却这两个装置? 如果其中只有一个被冷却、我会听到这个单元的布局具有较差的"散热器"效应、因此这个单元的电路板温度更高。

    您能否确认更长的锁定时间是由于校准还是模拟 PLL 环路?

    设置 MUXout_LD_SEL = 1以实现锁定检测输出。 设置 LD_TYPE = 0以使锁定检测等于完成校准。 我们可以使用示波器测量 MUXout 引脚的 VCO 校准时间。

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    Noel、您好!

    我们研究了一些可能影响这些组件之间 LD 延迟的热问题。

    我们想知道焊接过程是否会对锁定检测延迟产生如此大的影响

    1. 有关良好的 PLL、请参阅随附的 PIC for Tek4;有关晚期锁定、请参阅 Tek7:
    2. https://drive.google.com/drive/folders/1NAllZMI7HwhR6UaD5L4JXuIP6-Injtky?usp=sharing
    3. 此外、您还可以找到其中一个组件的 X 射线。 LD 延迟对装配锡空%的影响是什么。
    4. 在 Tek31上、您可以发现加热产品时锁定时间的典型差异。
    5. Tek24展示了相同的差异@室温。
    6. 我们得到的这种差异不再是在低温下。
    7. MUXout_LD_SEL = 1.
    8. LD_TYPE = 1 -我们可以尝试一下。

    提前感谢您、

    Idan Artom

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    Idan、您好!

    Tek4/7中的深蓝色线迹是否代表合成器的 Vtune 电压? 如果是这种情况、请看我、问题是由于 VCO 校准、其中一个芯片的 VCO 校准时间更长。

    您说过您使用的是部分辅助功能、我假设每个合成器都有相同的 VCO 参数? 由于 VCO 将进行校准、因此在合成器锁定后 、您能否进行寄存器回读以查看确切实现了哪些 VCO 参数? 即:

    设置 回读
    VCO_SEL Rb_VCO_SEL
    VCO_CAPCTRL_STRT Rb_VCO_CAPCTRL
    VCO_DACISET_STRT Rb_VCO_DACISET

    另一个问题是、您验证了多少个电路板的锁定时间?  

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    Noel、您好!

    是的、深蓝色是 VTune。

    是的、我们使用相同的 VCO 参数(115个初始寄存器和13个寄存器用于频率设置)。

    [引用 userid="90437" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3751216 #3751216"]由于 VCO 将在合成器锁定后进行校准,[/quot]

    您能解释一下这一假设吗?

    我将尝试提供反馈并与您分享这些信息。

    谢谢你

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    Idan、您好!

    除完全辅助模式外、VCO 将在所有其他校准模式下进行校准、因为总锁定时间等于 VCO 校准时间+ PLL 锁定时间。  

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    Noel、您好!

    遗憾的是、我无法对寄存器进行回调。

    [引用 userid="90437" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3751740 #3751740"]除完全辅助模式外,VCO 将在所有其它校准模式下进行校准,因此总锁定时间等于 VCO 校准时间+ PLL 锁定时间。

    当然可以。  

    [引用 userid="90437" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3751216 #3751216"]

    您说过您使用的是部分辅助功能、我假设每个合成器都有相同的 VCO 参数? 由于 VCO 将进行校准、因此在合成器锁定后 、您能否进行寄存器回读以查看确切实现了哪些 VCO 参数? 即:

    设置 回读
    VCO_SEL Rb_VCO_SEL
    VCO_CAPCTRL_STRT Rb_VCO_CAPCTRL
    VCO_DACISET_STRT Rb_VCO_DACISET

    另一个问题是、您验证了多少个电路板的锁定时间?  

    [/报价]

    在前一周、我进行了大量测量。 尤其是在非常具体的位置锁定时间。

    在应用中、当我们请求锁定时、我们需要快速响应。 在这些特定频率下、我会记录更长的锁定时间。

    例如:

    • 频率 x 在 y 时锁定。  
    • 频率 x-2.5MHz 锁定在 y - 30µS Ω。

    由于商业问题、我无法在此分享我的完整内容。

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    [引用 userid="90437" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3751740 #3751740"]除完全辅助模式外、VCO 将在所有其他校准模式下进行校准、因此总锁定时间等于 VCO 校准时间+ PLL 锁定时间。  [/报价]

    另一个问题-  

    我的时钟为 Fosc = 70MHz。 我将其加倍为1

    [引用 userid="464732" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3761226 #3761226"]频率 x-2.5MHz 锁定在 y - 30µS。

    40MHz => FPD = 140MHz。  

    如果我们将 Fosc 设置为140MHz、锁定时间是否会显著变化? FPD 将保持140MHz。(我需要30µ 更低)

    第二个问题-  

    每次更改频率时,我写13个寄存器@部分辅助:

    R78
    R45.
    R44.
    R43
    R42
    R39
    R38
    R37
    R36.
    R34
    R20.
    R17.
    R0

    是否有任何正确的写入顺序(R0旁边)?

    我希望你理解我的问题(我们正在进行2个月的工作、但没有进展)。

    此致、

    Idan

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    [引用 userid="90437" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3751216 #3751216")另一个问题,您验证锁定时间的板数量是多少?  [/报价]

    它在6个电路板上进行了测试-每个电路板在特定频率下的晚期锁定时具有相同的行为。  

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    Idan、您好!

    VCO 校准速度= Fosc / 2^CAL_CLK_DIV。 如果 Fosc < 200MHz、CAL_CLK_DIV = 0。 因此、如果您将 Fosc 从70MHz 更改为140MHz、校准时间将更短。

    如果您未更改环路滤波器、将 FPD 加倍至140MHz 将使环路带宽更宽。 因此、PLL 模拟锁定时间将更短。

    总锁定时间=编程时间+ VCO 校准时间+ PLL 模拟锁定时间。 我希望将 Fosc 加倍将使总锁定时间更短。

    只要 R0是最后一个要编程的寄存器、编程顺序就无关紧要。 更快的编程速度具有优势、因为您有大量的寄存器可用于编程。  

    您说过、特定频率下会发生更长的锁定时间、频率是否低于范围?

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    [引用 userid="90437" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3762003 #3762003"]您说过在特定频率下锁定时间会更长,频率是否低于范围?

    否 不在该范围内。

    我熟悉此说明。

    我将尝试此 Fosc = 140MHz 以缩短总锁定时间。

    此致、

    Idan

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    Noel、您好!

    我将尝试使用特定的计时来设置锁定时间。

    我们使用50MHz SPI 时钟。 13 reg 的写入时间 短(小于5µS Ω)。  

     120µSec、特定频率的锁定时间高于1 μ s。  

    70µS 测量的锁定时间介于30 μ s 之间。

    [引用 userid="464732" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3761244 #3761244(1999) R78
    R45.
    R44.
    R43
    R42
    R39
    R38
    R37
    R36.
    R34
    R20.
    R17.
    R0[/报价]

    假设我使用这些寄存器、您能告知哪些寄存器应重新设置吗?

    如果这些寄存器中的一个是常数、我们不能重新设置它吗?

    此致、

    Idan

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    您能解释一下数据表中的以下注释吗:

    "与寄存器相关的函数或值在寄存器被写入后立即生效。 例如、如果更新了 N 分频器、则 VCO 频率会立即漂移、PLL 环路会在用户写入 R0寄存器时解锁。 所有这些更改都发生在 VCO 开始校准之前"

    它是否与寄存器写入顺序相关?

    Thx。

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    Noel、您好!

    此处附上2个示波器。

    右侧图片是70MHz 时钟、左侧是140MHz 时钟。

    蓝色表示锁定检测。

    黄色表示 FM 鉴频器电压。

    频率发生了变化。

    我们是否可以预期每个频率的锁定时间会发生这种变化?

    此致、

     

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    Idan、您好!

    每当您想更改频率时、只要对具有新值的寄存器进行编程就足够了。 例如、通常所有频率的 PLL_DEN 都是固定的、我们不需要在每次更改频率时重新编程该寄存器。  

    该声明说、寄存器将在写入后立即更新。 如果您更新一个与 VCO 频率相关的寄存器、VCO 频率将立即改变、因此 PLL 将解锁。 这是正常情况。 由于您的总编程时间仅为5µs μ s、因此编程序列实际上无关紧要。

    您是说黄色轨迹线表示 VTune 电压吗? 蓝色迹线的响应是预期的、因为随着 Fosc 的增加、VCO 校准时间会更短。 部分辅助功能指定要校准的 VCO 的估算 VCO 参数。 如果估算不精确、VCO 最终将需要更长的时间进行校准。 我希望锁定时间会有一些变化。 如果您可以读回校准的 VCO 参数、则可以提高估算精度并缩短 VCO 校准时间。