你好
我们有两种设计使用相同的 LMX2594原理图
这两种设计的布局相同、但电路板的布局相同。在一种设计中、 我们获得的锁定时间比另一种设计的锁定时间多出20us。
它不是参考、部件精度或 SPI 问题。
布局中是否有可能导致两种类似设计具有不同锁定时间的东西?
谢谢
Tamir
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您好、Artom、
您是在冷却其中一个装置还是同时冷却这两个装置? 如果其中只有一个被冷却、我会听到这个单元的布局具有较差的"散热器"效应、因此这个单元的电路板温度更高。
您能否确认更长的锁定时间是由于校准还是模拟 PLL 环路?
设置 MUXout_LD_SEL = 1以实现锁定检测输出。 设置 LD_TYPE = 0以使锁定检测等于完成校准。 我们可以使用示波器测量 MUXout 引脚的 VCO 校准时间。
Noel、您好!
我们研究了一些可能影响这些组件之间 LD 延迟的热问题。
我们想知道焊接过程是否会对锁定检测延迟产生如此大的影响
提前感谢您、
Idan Artom
Idan、您好!
Tek4/7中的深蓝色线迹是否代表合成器的 Vtune 电压? 如果是这种情况、请看我、问题是由于 VCO 校准、其中一个芯片的 VCO 校准时间更长。
您说过您使用的是部分辅助功能、我假设每个合成器都有相同的 VCO 参数? 由于 VCO 将进行校准、因此在合成器锁定后 、您能否进行寄存器回读以查看确切实现了哪些 VCO 参数? 即:
| 设置 | 回读 |
| VCO_SEL | Rb_VCO_SEL |
| VCO_CAPCTRL_STRT | Rb_VCO_CAPCTRL |
| VCO_DACISET_STRT | Rb_VCO_DACISET |
另一个问题是、您验证了多少个电路板的锁定时间?
Noel、您好!
是的、深蓝色是 VTune。
是的、我们使用相同的 VCO 参数(115个初始寄存器和13个寄存器用于频率设置)。
[引用 userid="90437" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3751216 #3751216"]由于 VCO 将在合成器锁定后进行校准,[/quot]您能解释一下这一假设吗?
我将尝试提供反馈并与您分享这些信息。
谢谢你
Noel、您好!
遗憾的是、我无法对寄存器进行回调。
[引用 userid="90437" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3751740 #3751740"]除完全辅助模式外,VCO 将在所有其它校准模式下进行校准,因此总锁定时间等于 VCO 校准时间+ PLL 锁定时间。当然可以。
[引用 userid="90437" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3751216 #3751216"]您说过您使用的是部分辅助功能、我假设每个合成器都有相同的 VCO 参数? 由于 VCO 将进行校准、因此在合成器锁定后 、您能否进行寄存器回读以查看确切实现了哪些 VCO 参数? 即:
| 设置 | 回读 |
| VCO_SEL | Rb_VCO_SEL |
| VCO_CAPCTRL_STRT | Rb_VCO_CAPCTRL |
| VCO_DACISET_STRT | Rb_VCO_DACISET |
另一个问题是、您验证了多少个电路板的锁定时间?
[/报价]在前一周、我进行了大量测量。 尤其是在非常具体的位置锁定时间。
在应用中、当我们请求锁定时、我们需要快速响应。 在这些特定频率下、我会记录更长的锁定时间。
例如:
由于商业问题、我无法在此分享我的完整内容。
另一个问题-
我的时钟为 Fosc = 70MHz。 我将其加倍为1
[引用 userid="464732" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3761226 #3761226"]频率 x-2.5MHz 锁定在 y - 30µS。40MHz => FPD = 140MHz。
如果我们将 Fosc 设置为140MHz、锁定时间是否会显著变化? FPD 将保持140MHz。(我需要30µ 更低)
第二个问题-
每次更改频率时,我写13个寄存器@部分辅助:
R78
R45.
R44.
R43
R42
R39
R38
R37
R36.
R34
R20.
R17.
R0
是否有任何正确的写入顺序(R0旁边)?
我希望你理解我的问题(我们正在进行2个月的工作、但没有进展)。
此致、
Idan
它在6个电路板上进行了测试-每个电路板在特定频率下的晚期锁定时具有相同的行为。
Idan、您好!
VCO 校准速度= Fosc / 2^CAL_CLK_DIV。 如果 Fosc < 200MHz、CAL_CLK_DIV = 0。 因此、如果您将 Fosc 从70MHz 更改为140MHz、校准时间将更短。
如果您未更改环路滤波器、将 FPD 加倍至140MHz 将使环路带宽更宽。 因此、PLL 模拟锁定时间将更短。
总锁定时间=编程时间+ VCO 校准时间+ PLL 模拟锁定时间。 我希望将 Fosc 加倍将使总锁定时间更短。
只要 R0是最后一个要编程的寄存器、编程顺序就无关紧要。 更快的编程速度具有优势、因为您有大量的寄存器可用于编程。
您说过、特定频率下会发生更长的锁定时间、频率是否低于范围?

否 不在该范围内。
我熟悉此说明。
我将尝试此 Fosc = 140MHz 以缩短总锁定时间。
此致、
Idan
Noel、您好!
我将尝试使用特定的计时来设置锁定时间。
我们使用50MHz SPI 时钟。 13 reg 的写入时间 短(小于5µS Ω)。
120µSec、特定频率的锁定时间高于1 μ s。
70µS 测量的锁定时间介于30 μ s 之间。
[引用 userid="464732" URL"~/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1011552/lmx2594-lmx2594-lock-time/3761244 #3761244(1999) R78假设我使用这些寄存器、您能告知哪些寄存器应重新设置吗?
如果这些寄存器中的一个是常数、我们不能重新设置它吗?
此致、
Idan
Idan、您好!
每当您想更改频率时、只要对具有新值的寄存器进行编程就足够了。 例如、通常所有频率的 PLL_DEN 都是固定的、我们不需要在每次更改频率时重新编程该寄存器。
该声明说、寄存器将在写入后立即更新。 如果您更新一个与 VCO 频率相关的寄存器、VCO 频率将立即改变、因此 PLL 将解锁。 这是正常情况。 由于您的总编程时间仅为5µs μ s、因此编程序列实际上无关紧要。
您是说黄色轨迹线表示 VTune 电压吗? 蓝色迹线的响应是预期的、因为随着 Fosc 的增加、VCO 校准时间会更短。 部分辅助功能指定要校准的 VCO 的估算 VCO 参数。 如果估算不精确、VCO 最终将需要更长的时间进行校准。 我希望锁定时间会有一些变化。 如果您可以读回校准的 VCO 参数、则可以提高估算精度并缩短 VCO 校准时间。