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[参考译文] LMK03318：I2C 接口的 PDN 时序和功能

admin
Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: LMK03318

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/706366/lmk03318-pdn-timing-and-function-for-i2c-interface

器件型号：LMK03318

关于 LMK03318电源打开，I2C 接口在极少的情况下(约1/10000)没有收到 ACK。

(PDN 的结果相同：H⇒L⇒H)

如需测量结果不准确、请告诉我以下三点：

PDN_Low Time 的①Timing μ s 规格

(__LW_AT__我想知道 PDN 所需的最短低电平时间：h⇒L⇒H）

）复位后 I2C 通信的②Required μ s 延迟时间(PDN：L⇒H

③Because 很少有 ACK、我认为这一衡量标准低于计划。

⇒当未接收到 ACK 时、I2C 通信通过再次复位重新启动(PDN：H⇒L⇒H）

薄计划是否正确？ 如果还有其他想法、请告诉我。  

此致、

Satoshi

  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好，Satosi-San，

    我相信还有另一个关于同一问题的活跃主题： e2e.ti.com/.../705506

    我们怀疑早期的硅可能会导致这个问题。 您能否提供所拥有样片的生产日期代码？
  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Arvind-San

    感谢您的回复、

    是的、您的想法是正确的。
    此主题与此问题相同。

    设备数据代码已由另一个线程发送。
    如果 μ ①～③和其他问题(如下)与数据代码无关、请告知我。

    【其他问题】
    ④When 比较寄存器读取和写入、R142只是差异(__LW_AT__写入：00h、读取：FFH）。
    这种结果是否正常运行？
    另外、R142寄存器与读写寄存器不同、它的操作是否正确？

    此致、
    Satoshi
  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    请参阅我对另一篇文章的答复 ：e2e.ti.com/.../705506

    关于您的其他问题：
    PDN 低电平时间应至少为200ns。
    2.在 PDN 变为高电平后、等待至少200us I2C 可用。
    3.此变通办法适用于早期器件、该器件显示了 PDN 启动问题(在另一个 E2E 帖子中进行了说明)。 但是、当前生产的器件具有强大的 PDN 启动功能、因此不需要此权变措施。
    4.这是预期行为。 写入 R142 (RAMDAT)会自动递增 SRAM 存储器地址 R139：R140 (MEMADR[11：0])的内部指针。 例如、如果在 MEMADR = 0x00C (SRAM 地址字节#12)的情况下将0x00写入 RAMDAT、并且从 RAMDAT 中读回值、则将从地址字节#13 (而不是字节#12)读取 SRAM 数据、因为 MEMADR 值在内部自动递增1。 要读取地址#12上的 SRAM 数据、您需要在读取 RAMDAT 前将0x00C 写入 MEMADR。

    此致、
    Alan
  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
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    Alan－San

    感谢您的回复、
    很抱歉、还有其他问题、下面是否有信息？

    ・关于您的答案④、R142寄存器之外的寄存器与读写寄存器相同、它是否正确？
    ⑤Datasheet P52注释被描述为"应忽略 LMK03318下电上电后的第一个 I2C 事务"。
    I2C 应首先写入什么命令？
    ⑥Is 早期器件修订版本的 PDN 之外还有其他问题吗？
    请告诉我早期器件修订版本的所有更改点。

    此致、
    Satoshi
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    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    4.是的，你是对的。
    5.下电上电后的第一个 I2C 事务可以是读取操作，例如从 R0读取。 可以忽略读取的数据。
    6.除了使 PDN 可靠和 REVID 寄存器复位值的设计修复之外，从早期芯片版本(REVID = 0x01)到当前生产芯片版本(REVID = 0x02)没有其他问题或变化。

    此致、
    Alan
  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    对#4的一个澄清：读取 R141 (NVM/EEPROM 数据)、R142 (SRAM 数据)或 R143 (ROM 数据)将取决于写入 R139：R140的值(MEMADR_BY[1：0])以及内部指针是否自动递增。 如果客户在每次上电后写入寄存器以配置器件(不使用 NVM/SRAM/ROM)、则可以忽略 R135上/上的寄存器读取。

    此致、
    Alan
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    TI__Guru**** 2539500 points
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    Alan－San

    感谢您的支持；

    关于回答⑤、请让我再次确认"第一个 I2C 交易"。
    无论第1条命令如何、LMK03318是否移动 R0读取操作？
    我想发送两次要发送到第一条命令上的命令、对吗？

    此致、
    Satoshi
  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    是的。 建议的上电后 I2C 编程过程为：

    1.加电设备(VDD 和 VDDO 电源轨)。
    2.将 PDN 从低电平切换为高电平。
    从 R0读取 I2C。 上电后的第1个 I2C 事务(虚拟读取或写入)应该被忽略。
    4.从 R0读取 I2C 并检查 ACK 或 NACK。
    -如果检测到 NACK (仅由于早期器件版本中存在 PDN 启动问题的风险)、则从步骤2返回。
    -如果检测到 ACK，则继续执行步骤5。
    5. I2C 写入所需的寄存器配置设置。
    6。如果需要、切换 RESETN_SW 位以重新校准 PLL。

    Alan