[参考译文] CDCM6208：VCM-DC 的实际模型是什么？

请回复 您的解释：CM-DC 测试条件与 CML 驱动器相同："直流耦合与50 Ω 片上端接至 VDD_yx_YY "，

但根据我的计算、我认为实际计算与数据表不同。 说

那么、您能给我一个详细的分析过程吗？对于像 LVDS 这样的直流耦合和像 LVPECL 的直流耦合、您能提供一个详细的分析过程吗？

Jianxin、

CDCM6208类似 LVDS 的类型是低功耗 CML (lpcml)驱动器、而 LVPECL 类似的类型是高摆幅 CML (hscml)驱动器。 我们建议对 LVDS/LVPECL 接收器进行交流耦合、然后 可以忽略来自 CDCM6208的不匹配 VCM。

如果您确实需要带负载的直流耦合、IBIS 模型仿真可以为您提供帮助。

CDCM6208 IBIS 模型

此致、

肖恩

您好！

  我认为 VCM-DC 应该是开路电压、而不是耦合电压。 由于直流耦合会在 CML 输出后增加负载、因此我认为 VCM-DC 数据错误。

  第二个原因是、如果直流耦合中的 VCM-DC 最小值(Vref-0.13)、考虑到波形摆幅、最大电压大于 Vref、请说明。

您好、嘉兴、

标准 CML 驱动器、由开漏差分对构建。 输出(输出+和输出–)需要将上拉电阻器连接到 VDD、因为 NMOS 晶体管只能有效地驱动下降沿、并且需要使用上拉电阻器来驱动上升沿。

 VDD_yx_YY-0.13是典型值。

规格摆幅 VOD 通过交流耦合进行测量、而交流耦合无法直接添加到 VCM-DC 上。

如果您使用的是 LVDS 或 LVPECL 接收器、请使用交流耦合。

如果您使用的是 CML 接收器、则可以接受交流或直流耦合。

此致、

肖恩

我不同意您对数据表的 CML 输出结构的解释图12：

从图12可以看到、IC 中有 CML 输出匹配阻抗50欧姆、因此您的解释错误。

VCM-DC 是开路电压、在直流条件下进行测量、其中使用高阻抗探针测量 VOH、VOL、VOL、然后计算 VCM-DC。  

因此、需要解释两个问题。

1) 1)输出匹配阻抗 是否集成在 IC 中？ 根据数据表图12、我认为它位于 IC 输出结构中。 但考虑到您的预先答复、您认为  IC 中没有输出匹配阻抗。 请 确认一下。

2) 2) VCM-DC 的测量方法是哪种？ 第一个是您的解释： 开路电压(输出  匹配阻抗 不在 IC 中) 第二个是输出结构(  IC 中具有输出匹配阻抗)直流与后电路耦合。同时，后电路必须是直流匹配。 这是数据表中的实际方法。

感谢你的答复。 考虑到大多数用户、我建议在测量方法中详细介绍 TI 的数据表。