[参考译文] LMK05318：EEPROM 编程

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1325848/lmk05318-eeprom-programming

器件型号：LMK05318

您好！

我需要使用我的外部设备(而非 GUI)对 EEPROM 进行编程和验证。

在 GUI 中、我看到我可以生成.txt 序列 EEPROM 文件(用于编程)并导出 EEPROM 映射文件。

但奇怪的是、序列和 EEPROM 映射文件中的值却不同。

那么、我的问题是：

1.为什么序列和 EEPROM 映射文件中的值不同？

1. TI 是否有关于描述编程/验证序列的此器件的 EEPROM 编程规范？

2.如何验证已编程的 EEPROM 存储器？

此致、George Volokh。

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2502205 points

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George

团队在美国度假期间不在办公室、请预计明天回复。

谢谢。

卡德姆

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2502205 points

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您好、George、

该序列概述了将寄存器设置(在 TICSPRO 中配置)编程到器件中的步骤。
EPR 文件是 EEPROM 映射、其中包含有关寄存器如何存储在 EEPROM 中的详细信息。该文件通常会移交给合同制造商、以便他们可以在您的用例中为您对 EEPROM 进行编程。
请注意，我们建议使用 LMK05318 B 因为这是最新的器件。
可通过几种方式来验证 EEPROM：
- 每次上电时、从 EEPROM 加载所有非状态寄存器设置。您可以通过探测输出来检查 EEPROM 是否正确。
- 当 EEPROM 成功编程后、NVMCNT (R156、EEPROM 编程计数)会在下一次上电时递增。
- 您可以检查 CRC 失败。 R157[5]应清晰，并且在下一次上电时，存储的和实时的 CRC 应相同(R158 =R155)。
- 您可以通过 MEMADDR (R159-R160)和 NVMDAT (R161)寄存器回读 EEPROM 内容。
有关其他编程指南、请参阅数据表的第9.5节。

此致、

珍妮弗

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2502205 points

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感谢 Jennifer 的解释。

但我们需要绝对确保编程正确完成、因此只有最后一种方法对我们来说似乎是可以接受的。

因此、如果我理解正确、我需要使用 TICSPRO：

1、导出 EEPROM 指令编程,按照这些指令进行编程。

2.导出 EEPROM 映射并根据此映射文件进行 EEPROM 验证。

我是对吗？

根据该算法、用于编程和读取/验证的数据在相同的地址内应该是不同的、对吗？

提前感谢。

此致、George。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2502205 points

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您好、George、

我建议遵循"Step1"上使用的步骤、该步骤使用数据表中第9.5.6.1节所述的寄存器提交方法。

"Step2"仅用于第9.5.6.2节中所示的 SRAM 直接写入方法。

我不回答这个问题、您能详细说明一下吗？

根据该算法、用于编程和读取/验证的数据在相同的地址内应该是不同的、对吗？

寄存器到 EEPROM 映射不是1：1；但是、如果您从相同的寄存器地址回读、则写入寄存器的数据应该相同。

此致、

珍妮弗

时钟和时序（参考译文帖）

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