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[参考译文] LMX2594:LMX2594的偏置电压

Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: LMX2594, LMR51420

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1401221/lmx2594-bias-voltages-of-lmx2594

器件型号:LMX2594
主题中讨论的其他器件: LMR51420

工具与软件:

你好!

我制作了一个包含 LMX2594的 PCB。 我看过评估板原理图并复制了它、以确保最终得到一个好的设计。

对于3.3V 电源、我有一个 ADM7151电压稳压器、它可以在其输出上精确地提供3.3V 电压。 我希望拥有一个极低噪声电源、因此我决定选择此部件。

另外、我的数字和模拟部分具有单独的稳压器。

此外、根据数据表中的建议、我使用100pF 电容器对 OSCin 信号进行交流耦合。

我为 PCB 通电、然后根据数据表测量了偏置电压。 我看到除了 VBIASVCO 之外、所有的偏置电压基本都正确。 这是0.29V、应大于1V。

我已经开始编写一些软件、按照数据表初始化寄存器、然而、我可能做了一些错误、在初始化之后、除了 VBIASVCO 保持在0.29V 之外、所有偏置电压都变为0V。 在 VREG_IN 引脚上测量到1.2V、应该是正确的、我已经在该论坛中找到了。

我想知道 VBIASVCO=0.29V 是否意味着我已损坏了器件? 不过、我看起来不像是电流消耗过大。 我有一个可产生大约6V 电压的 LMR51420前置稳压器、然后是线性后置稳压器、可实现良好的低噪声电源。 使用100uF 绕过电源。

我已经附上了我的原理图。 R22和 R23未组装、因为我在数据表中不清楚我需要向 SYNC 施加哪个电压电平。 但是、据我所知、当不使用 JESD 时、SYNC 会被忽略、因此我现在决定省略 R22和 R23。

那么、我的问题是、是什么导致 VBIASVCO 关闭? 我不明白这一点、因为所有其他偏置电压都超级好。

我现在要去尝试更换 VBIASVCO 的旁路电容、但我怀疑这会解决问题、我无法想象电容会损坏。 但人们永远不知道。 此问题还有什么原因?

或者真正的情况是只有在正确配置所有寄存器后才能测量电压吗?

感谢您的任何提示! PLL 器件原理图如下所示。

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    大家好、

    在 Vcc 加电后和编程前、您应该会得到以下引脚电压。

    质量

    文件夹

    POR 电压

    3.

    VBIASVCO

    1.017.

    27.

    VBIASVCO2

    0.652.

    29.

    VREFVCO2

    2.856.

    33.

    VBIASVARAC

    1.609.

    36.

    VREFVCO

    2.85.

    38.

    VREGVCO

    2.03.

    您是否已将 CE 引脚拉高以启用该器件?

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    尊敬的 Noel:

    确实、CE 为高电平。 但是、上电后不会立即启动、因为微控制器需要几毫秒的时间来启动。

    另外、我同意您的表、我的电压正好是您提到的+/-几毫伏、除了 VBIASVCO 仅290mV。

    我发现这里有其他线程具有相同的症状、但未找到解决方案。 因此我想知道 VBIASVCO=290mV 是否意味着我的 LMX2594芯片肯定已经无法工作? 或者这是一个可以解决的问题吗?

    谢谢!

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    你好!

    我回到办公室、检查了所有电压。 我有以下几点:

    VCC 3.279V
    VREG_IN 1.2291V 引脚10
    VREF_VCO 2.8733V 引脚36
    VREG_VCO 2.0588V 引脚38
    VREF_VCO 2.8785V 引脚29
    VBIAS_VCO 0.3088V 引脚3
    VBIAS_VCO 0.6403V 引脚27
    VARATOR 偏置 2.8814V 引脚33

    和 CE、CSB 均为高电平。

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    大家好、

    如果 POR 引脚电压与典型值明显不同、我认为芯片存在问题。 可以把芯片更换、再检查一下吗?  

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    你好

    感谢您的提示。

    我再次查看了原理图、看起来一切都很好。 并且 PCB 已正确组装。 因此我再次查看了初始化序列、发现由于一些拼写错误、我向其中一个寄存器写入了一个错误值。

    校正了错误的寄存器值后、偏置电压现在可纠正到几个10mV、并且当使用适当的寄存器值对 PLL 进行编程时、PLL 可成功生成一个信号、如照片所示。

    我发现它不会在所有频率下锁定、但我认为这与环路滤波器的关系比与其他任何事情的关系更大。

    我有10 MHz 基准频率、但复制了评估板上的环路滤波器、因此我认为此环路滤波器不足以满足我的基准频率、因此 PLL 无法正确锁定所有频率。

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    有趣的是、PLL 在8GHz、9GHz 等频率下锁定良好、但在8.01GHz 频率下则无法锁定。 但是、我使用了我使用 PLLATINUM 软件包计算出的环路滤波器。

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    大家好、

    为了支持分数频率、请确保 PLL_DEN 足够大、满足分辨率要求、并且 MASH_ORDER 不是整数模式。

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    你(们)好、

    感谢您的提示!

    我有一个10 MHz 基准时钟。 为了获得1 MHz 分辨率、我使用了分母10。

    它运行得很好、例如、我可以安全地生成8GHz、8.001 GHz 等。 因此、该部件能够很好地工作。 我还监视 MUXOUT 信号、已将其配置为锁定检测。

    对于8GHz 左右的频率、锁定功能非常好、频谱看起来不错。

    然而、在7.5GHz、9GHz、11GHz 下、PLL 完全不会锁定、即使我完全切换到整数模式时也是如此。

    我不确定这是否与我的环路滤波器有关? 我使用 PLLATINUM 软件尝试了环路滤波器设计、并使用10 MHz 作为 OSCin、倍频器、预分频器和后分频器被禁用、因此 PFD 频率确实为10 MHz。

    我知道评估板使用的是100 MHz、但我有一个精密10 MHz 基准、根据数据表、我认为 PFD 确实可以在这么低的频率下工作。

    输入时钟是差分 ECL 时钟、因此它应具有非常好的压摆率。 我还使用了电容耦合。 同样从这一事实来看、在8 GHz 时、一切都运行良好、我认为基准似乎没问题、但我还是不明白为什么它不能锁定在其他一些频率。 有趣的是,它锁定在8.000到8.009 GHz,但它不锁定在8.01 GHz( 10 MHz 差异, N 值是800 vs 801...)

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    大家好、

    更改频率后、您是否校准了 VCO?

    例如、在对 N 分频器进行编程以将 VCO 频率更改为11GHz 之后、您是否通过问题 R0 (FCAL_EN=1)来校准 VCO?

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    尊敬的 Noel:

    感谢您的提示。 是的、我确实使用 FCAL_EN=1对 R0进行编程。

    我更改频率的例程工作方式如下:

    设置 N 分频器、如有必要、设置 PFD 延迟。

    2.设置分子(和分母,如有必要)

    3.对 R0进行编程、FCAL_EN=1。

    4.查看 MUXOUT (=锁定检测)。

    我注意到、对于8.000GHz 到8.009GHz、MUXOUT 在写入 R0后变为高电平、VCO 可安全锁定。 它非常出色、可提供干净的输出信号。

    然而、令人奇怪的是、在8.01GHz 频率下、在对 R0进行编程后、MUXOUT 绝不会变为高电平、这是奇怪的。 因为8.000GHz 为 N=800、Numerator = 0且分母= 10 (对于1 MHz 分辨率)。 对于8.01GHz、我们得到 N=801、Numerator=0和分母=10、因此基本上这两个都是10 MHz 的整数倍、我认为它应该同样适用...

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    大家好、

    我不存在单端(1Vpp) 10MHz 时钟的问题。 实际上、将 VCO 频率从8GHz 更改为8.01GHz 无需校准、因为 VCO 可以支持约100MHz 的无校准调优。  

    如果您可以将其锁定到8GHz、只需将 N 分频器更改为801就会将输出更改为8010MHz、无需进行校准。

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    尊敬的 Noel:

    我同意、如果它在8 GHz 下可以锁定、那么它也应该在8 GHz 下锁定。

    我只是尝试将分子保留为0、仅更改 N 分频器。 但是、它仍然无法在8.01GHz 频率下正确锁定。 因此、我想知道该问题是否与我的环路滤波器有关。 您的环路滤波器是什么样的?

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    大家好、

    如果您使用15mA 电荷泵电流、则您的环路滤波器是稳定的。 我正在使用 EVM 默认环路滤波器。  

    我认为这不是环路滤波器问题。 可能是编程问题或芯片问题、如您所说、引脚电压与典型值不同。

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    Noel、您好

    我的引脚电压由于芯片初始化错误而出错、我可能没有清楚地写出来。

    现在、通过正确的初始化、我可以得到以下值:

    3.

    VBIASVCO

    1.124V (数据表:1.3V)

    27.

    VBIASVCO2

    0.649V (数据表:0.7V)

    29.

    VREFVCO2

    2.889V (数据表:2.9V)

    33.

    VBIASVARAC

    1.772V (数据表:1.7V)

    36.

    VREFVCO

    2.889V (数据表:2.9V)

    38.

    VREGVCO

    2.096V (数据表:2.1V)

    所以你是对的、我的 VBIASVCO 还是错的。 但是我不懂为什么在 ESD 安全的工作场所搬运芯片、所以我把芯片用蒸气相 SMD 烤箱进行焊接、VCC 电压正确。

    现在我要检查连接到 VBIASVCO 的电容器。 该电容器可能已损坏或出现问题。 我在0603情况中使用了一个10uF 陶瓷电容器。

    我还附带了布局的屏幕截图。

    我还应注意的是、我有两个单独的电压稳压器、一个为数字电源引脚供电、另一个为模拟电压引脚供电。

    我使用的是模拟电源、恰好是3.300V、而在数字电源上、我使用的是3.279V。 这是否是造成差异的原因?

    此外、我已将所有电源引脚与0r 电阻相连、因此可在必要时添加铁氧体磁珠。 但是、我很快地看到了电源电压、它们看起来没有问题。 是否仍然值得添加铁氧体磁珠?

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    大家好、

    也许我们可以在 VCO 校准后执行寄存器读回以检查 VCO 参数。

    确保将 MUXOUT_LD_SEL 设置为0x0以实现读回输出

    2.读回 R110、R111和 R112

    rb_VCO_SEL、rb_VCO_CAPCTRL 和 rb_VCO_DACISET 的值是多少?

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    尊敬的 Noel:

    我使用 MUXOUT 引脚进行锁定检测并配置为回读。

    要么是我遇到了严重的问题、要么我的芯片会有怪异的行为:我读取 R110 = 0x7EA、R111 = 0x00、R112 = 0xF2。

    嗯、R110的值显然是不可能的。 因此我目前无法理解当前的情况。 或者、此寄存器中是否有些位不一定读作0并且在读的时候应该被忽略?

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    大家好、

    请尝试使用附加的配置。 按降序对其进行编程。 即 R112、R111、...、R2、 R1、R0。 如果锁定、则应锁定到8010MHz 输出。

    e2e.ti.com/.../2594_5F00_10M_5F00_8010M.txt