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器件型号： ADS8685
尊敬的团队：
代表我们的客户发帖。
我会将此 E2E 帖子分享给我们的客户、以便他可以在需要时回复。
我正在使用 ADS8685IPWR 进行设计、遇到了一些关于数据表修订版 E 中所需去耦电容器的矛盾陈述
- 在第 59 页 8.3.1 中：电源去耦：
“必须通过在每个 电源上使用最小 10-μF 和 1-μF 电容器、将 AVDD 电源引脚与 AGND 去耦。 将 1-μF 电容器尽可能靠近电源引脚放置。 将最小 10-μF 去耦 电容器放置在非常靠近 DVDD 电源的位置、以提供高频数字开关电流。“ - 在第 61 页 8.4.1 布局指南中：
“... •ADS868x 的电源必须纯净且具有合适的旁路配置。 建议在模拟 (AVDD) 电源引脚附近使用额定电压至少为 10V 的 1-μF X7R 级 0603 尺寸陶瓷电容器。 为了对数字电源引脚 (DVDD) 去耦、 建议使用额定电压至少为 10V 的 1-μF、X7R 级、0603 尺寸陶瓷电容器。 - 在第 62 页的 8.4.2 布局示例中、图 8-12。 ADS868x 的电路板布局布线：仅使用 1uF 电容器来对 AVDD 和 DVDD 去耦。
- 在应用工作表 SBAA551 的第 4 页、图 2-2。 多路复用器、仪表放大器和模数转换器： 仅使用 1uF 电容器来对 AVDD 和 DVDD 进行去耦。
我对这一点的解释是、数据表第 59 页上的声明是错误的、因为有更多的信息支持 1uF 电容器足以用于 AVDD 和 DVDD 引脚、并且不需要 10uF 电容器。 我猜可能已经与 REFCAP 引脚所需的去耦电容器混频 (1uF + 10uF)。
如果我的假设正确、何时可以提供更新的数据表？
此致、
Danilo
