尊敬的TI专家:
对于三线RTD应用,我们对使用两个电流IDAC源或单个IDAC源的决定有一个问题。
我们了解使用两个IDAC源将需要Swaping Sources和averaing测量值,而一个IDAC还需要两个测量值来消除导线电阻。 因此,使用两个而不是一个IDAC源是否有好的方面?
现在,正如我们所看到的,它只有一个坏的方面,因为两个来源意味着目前的消耗几乎翻了一番。 我们很好奇,因为芯片能够驱动两个源,我们想知道此配置是否有任何优势?
谢谢。
此致,
朱月辰
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尊敬的TI专家:
对于三线RTD应用,我们对使用两个电流IDAC源或单个IDAC源的决定有一个问题。
我们了解使用两个IDAC源将需要Swaping Sources和averaing测量值,而一个IDAC还需要两个测量值来消除导线电阻。 因此,使用两个而不是一个IDAC源是否有好的方面?
现在,正如我们所看到的,它只有一个坏的方面,因为两个来源意味着目前的消耗几乎翻了一番。 我们很好奇,因为芯片能够驱动两个源,我们想知道此配置是否有任何优势?
谢谢。
此致,
朱月辰
您好,Yuanchen,
进行3线RTD测量有许多可能的选项。 这将包括使用一个或两个IDAC源的高侧和低侧参考选项。 RTD测量的基本指南中给出并解释了各种电路。 本指南的2.3 至2.5 部分显示了三种不同的3线RTD测量解决方案。 您选择的解决方案将取决于所需的温度测量精确度和达到精确度的难度。
两个IDAC解决方案使用的微型计算能力更低。 但是,正如您所提到的,使用的电流是电流的两倍。 使用两个IDAC可进行比例测量,其中用于激发RTD的相同电流也可用于激发参考。 比率计测量允许在测量中取消IDAC激励的任何漂移。 此外,比率计测量允许输出代码与参考电阻值成比例。 第二个优点是第二个IDAC将自动取消测量结果中导线电阻的压降。
当添加IDAC电流源的切换(或交换)时,IDAC电流源之间的测量不匹配错误会减少。 如果添加IDAC切碎功能,则需要通过进行两次测量来增加一些额外开销。 在低侧参考应用中,添加IDAC切碎功能的好处更有价值。 使用高侧参考的好处有限。
使用单IDAC进行2次测量(一次用于RTD,第二次用于导线电阻补偿)需要一些额外的计算来消除导线电阻误差。
温度测量代码库可用于帮助演示各种测量。 这可以在工具页 ADC-TEMP-SENSOR-FW中找到
此致,
Bob B
你好,Bob
感谢您提供所有信息,我们再次检查了您提到的文档,但对于3线RTD的三种解决方案,我仍然不清楚。
让我这样问,在我们的方案中,我们希望尽可能以最低的功耗实现高精度,您会推荐哪种解决方案,或者您如何根据所需的准确性和您提到的难度来决定选择哪种解决方案。
以下是我的困惑:
1.对于两个或一个IDAC,再询问一次,在我们的情况下,您是否会推荐一个而不是两个IDAC,或者我们是否还有其他需要注意的事情?
换句话说,在何种情况下,人们不会将一个IDAC视为低边,而是将另两个IDAC视为低边(在您心目中有任何例子)?
非常感谢您帮助我们从合适的解决方案开始。
再次感谢。
玉禅
您好,Yuanchen,
我的同事正在开发RTD计算器工具,以演示各种RTD配置的差异。 遗憾的是,此工具尚未完全准备好发布。
有许多依赖性会影响整体准确性和分辨率。 影响误差的两个主要系统因素是参考电阻器的初始精度和漂移。 第二个因素是ADC增益误差和增益漂移。 这两个错误源都将是三种3线RTD配置中任何一种配置的一部分,并且可能占总错误的2/3。
还有其他因素会影响温度测量的准确性和分辨率。 这些因素包括转换所需的速度和RTD将测量的温度范围。 此外,AVDD电源电压还将确定可使用的满刻度范围。
1。403.9304万。 对于两个或一个IDAC,请进一步询问,在我们的情况下,您是否会推荐一个而不是两个IDAC,或者我们是否需要处理其他事项?[/QUOT]根据迄今为止提供的信息,希望能耗最低似乎是首要考虑因素。 这将使使用单个IDAC的低侧参考成为更好的选择。 其他两种配置使用两个IDAC源。
[/quote]2。403.9304万。 换言之,在何种情况下,您不会将一个电流IDAC视为低端,而是将另两个(您心目中的任何例子)视为低端?[/QUOT]正如我在上一篇文章中所说,使用两个IDAC可以自动取消导联。 此处的好处是可以进行单次测量。 由于我不知道准确度目标要求,很难确定单个测量是否可行。 如果需要IDAC粉碎来消除IDAC不匹配,则更简单,更省时的方法是使用单个IDAC进行低侧参考测量并进行两次测量。 一个用于RTD,另一个用于消除导线电阻。
此致,
Bob B