我在自己设计的电路板上使用 ADC32RF45。 我想使用引脚63的单端 SYNCB 信号。
当我将 JESD 数字页寄存器6036h 写入值40h 以将 CMOS SYNCB 设置置为有效时、我将无法再完成对 ADC 的 SPI 读取。 我探测了 SDOUT 引脚、未观察到任何活动。 当我将该寄存器设置回0h 时、SDOUT 再次开始工作。
当我将寄存器7036h 的该位设置为高电平时、我不会观察到这种行为。
导致此问题的可能原因是什么?
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我在自己设计的电路板上使用 ADC32RF45。 我想使用引脚63的单端 SYNCB 信号。
当我将 JESD 数字页寄存器6036h 写入值40h 以将 CMOS SYNCB 设置置为有效时、我将无法再完成对 ADC 的 SPI 读取。 我探测了 SDOUT 引脚、未观察到任何活动。 当我将该寄存器设置回0h 时、SDOUT 再次开始工作。
当我将寄存器7036h 的该位设置为高电平时、我不会观察到这种行为。
导致此问题的可能原因是什么?
尊敬的 John:
启用 CMOS 同步所需的 SPI 序列为:
1.访问0x690000页
0x4001 0x00
0x4002 0x00
0x4003 0x00
0x4004 0x69
保持 CH=1、并将寄存器0x36的<6>位和寄存器0x3C 的<0>位设置为"1"。
0x7036 0x40 //位<6>
0x703C 0x01 //位<0>
)
器件在引脚63处检测到同步请求、逻辑阈值为600mV (逻辑0至600mV、逻辑1为600mV 至1.8V)。
注:您无需写入6036 (寄存器地址)
此致、
Vijay
您好、Vijay、
这可以解决 SDOUT 问题、方法是不在寄存器0x6036中将该位写为高电平。
随着我进一步研究数据表(版本 SBAS747C–2016年5月–2016年12月修订)、我发现数据表不一致。 我一直认为 JESD 数字页寄存器的地址为0x60。 其中通道 A (CH 位为低电平)和地址为0x70的寄存器。 用于通道 B (CH 位为高电平)、如表27中所示。 但是、在第62和63页的文本中以及在图123中描述了 CH 位的相反状态。
访问通道 A 时、CH 位应该是高电平还是低电平?