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[参考译文] ADC32RF45:CMOS SYNCB 阻止 SDOUT 工作

Guru**** 671890 points
Other Parts Discussed in Thread: ADC32RF45
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1038689/adc32rf45-cmos-syncb-prevents-sdout-from-working

器件型号:ADC32RF45

我在自己设计的电路板上使用 ADC32RF45。 我想使用引脚63的单端 SYNCB 信号。

当我将 JESD 数字页寄存器6036h 写入值40h 以将 CMOS SYNCB 设置置为有效时、我将无法再完成对 ADC 的 SPI 读取。 我探测了 SDOUT 引脚、未观察到任何活动。 当我将该寄存器设置回0h 时、SDOUT 再次开始工作。

当我将寄存器7036h 的该位设置为高电平时、我不会观察到这种行为。

导致此问题的可能原因是什么?

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    尊敬的 John:

    让我花几天时间来处理这个问题。 我正在与设计团队交谈、看看他们是否有任何想法。

    您能与我们分享您的原理图吗? 这可能有助于我们调试该问题。

    此致、

    Rob

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    尊敬的 Rob:

    这是我的设计中 ADC32RF45的原理图页面。

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    尊敬的 John:

    启用 CMOS 同步所需的 SPI 序列为:

    1.访问0x690000页

    0x4001 0x00

    0x4002 0x00

    0x4003 0x00

    0x4004 0x69

    保持 CH=1、并将寄存器0x36的<6>位和寄存器0x3C 的<0>位设置为"1"。

    0x7036 0x40 //位<6>

    0x703C 0x01 //位<0>

    )

    器件在引脚63处检测到同步请求、逻辑阈值为600mV (逻辑0至600mV、逻辑1为600mV 至1.8V)。

    注:您无需写入6036 (寄存器地址)

    此致、

    Vijay

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    您好、Vijay、  

    这可以解决 SDOUT 问题、方法是不在寄存器0x6036中将该位写为高电平。

    随着我进一步研究数据表(版本 SBAS747C–2016年5月–2016年12月修订)、我发现数据表不一致。 我一直认为 JESD 数字页寄存器的地址为0x60。 其中通道 A (CH 位为低电平)和地址为0x70的寄存器。 用于通道 B (CH 位为高电平)、如表27中所示。 但是、在第62和63页的文本中以及在图123中描述了 CH 位的相反状态。

    访问通道 A 时、CH 位应该是高电平还是低电平?

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    尊敬的 John:

    对于 JESD 数字页通道选择、CH=0选择通道 B、CH=1选择通道 A。图123中给出的是正确的。

    但表27对此不正确。 我们将在下一版数据表中对此进行更新。  

    此致、

    Vijay