[参考译文] ADC32RF45：CMOS SYNCB 阻止 SDOUT 工作

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https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1038689/adc32rf45-cmos-syncb-prevents-sdout-from-working

器件型号：ADC32RF45

我在自己设计的电路板上使用 ADC32RF45。我想使用引脚63的单端 SYNCB 信号。

当我将 JESD 数字页寄存器6036h 写入值40h 以将 CMOS SYNCB 设置置为有效时、我将无法再完成对 ADC 的 SPI 读取。我探测了 SDOUT 引脚、未观察到任何活动。当我将该寄存器设置回0h 时、SDOUT 再次开始工作。

当我将寄存器7036h 的该位设置为高电平时、我不会观察到这种行为。

导致此问题的可能原因是什么？

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2668435 points

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尊敬的 John：

让我花几天时间来处理这个问题。我正在与设计团队交谈、看看他们是否有任何想法。

您能与我们分享您的原理图吗？这可能有助于我们调试该问题。

此致、

Rob

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2668435 points

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尊敬的 Rob：

这是我的设计中 ADC32RF45的原理图页面。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2668435 points

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尊敬的 John：

启用 CMOS 同步所需的 SPI 序列为：

1.访问0x690000页

0x4001 0x00

0x4002 0x00

0x4003 0x00

0x4004 0x69

保持 CH=1、并将寄存器0x36的<6>位和寄存器0x3C 的<0>位设置为"1"。

0x7036 0x40 //位<6>

0x703C 0x01 //位<0>

)

器件在引脚63处检测到同步请求、逻辑阈值为600mV (逻辑0至600mV、逻辑1为600mV 至1.8V)。

注：您无需写入6036 (寄存器地址)

此致、

Vijay

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2668435 points

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您好、Vijay、

这可以解决 SDOUT 问题、方法是不在寄存器0x6036中将该位写为高电平。

随着我进一步研究数据表(版本 SBAS747C–2016年5月–2016年12月修订)、我发现数据表不一致。我一直认为 JESD 数字页寄存器的地址为0x60。其中通道 A (CH 位为低电平)和地址为0x70的寄存器。用于通道 B (CH 位为高电平)、如表27中所示。但是、在第62和63页的文本中以及在图123中描述了 CH 位的相反状态。

访问通道 A 时、CH 位应该是高电平还是低电平？

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2668435 points

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尊敬的 John：

对于 JESD 数字页通道选择、CH=0选择通道 B、CH=1选择通道 A。图123中给出的是正确的。

但表27对此不正确。我们将在下一版数据表中对此进行更新。

此致、

Vijay

数据转换器（参考译文帖）

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