This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] ADS5294:采样时间规格

Guru**** 1815690 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS5294, THS4541
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/805780/ads5294-sampling-time-specification

器件型号:ADS5294
主题中讨论的其他器件: THS4541

您好!

如果我将采样率设置为40MHz、那么采样电容器在多长时间内充电? 我无法理解 ADS5294的时序规格。  

谢谢、

Maxime Puech  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Maxime、  

    ADC 采样时序很复杂。 我们通常不会释放准确的 ADC 内部采样保持电路时序。  

    请告诉我们您的困惑。 然后我们可以进行解释。  

    通常、您只需将 ADC 时钟上升沿作为所有时序的标记。 作为40MSPS ADC、采样可被视为25ns 的平均值、尽管采样保持电路的工作时间大约为12.5ns。  

    谢谢!

    小春

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Xiaochen、

    感谢您的回复。

    根据您说过的内容、我能说采样时间和保持时间都大约是 总采样周期的一半吗?  无论采样率是多少、它是否仍然为真?  

    我需要估算 ADC 采样时间、因为我想知道驱动 ADC 输入的限制是多少。 正如您在上一篇文章中所知、ADC 将由 THS4541全差动放大器驱动。 我阅读了几个应用手册、其中说在 FDA 和 ADC 之间放置一个小 RC 电路通常是个好主意(我不讨论抗混叠滤波器、这个电路将通过 THS4541实现为有源滤波器)。 应用手册使用 ADC 采样时间来检查驱动电路稳定时间不会导致大于1/2 LSB 的误差。  (应用手册之一的链接: https://www.silabs.com/documents/public/application-notes/AN119.pdf )

    TI 对此有何建议? 数据表显示在 FDA 之前放置了10R 的小电阻器、但没有足够的细节来正确设计它。  

    我想在 ADC 和 FDA 之间放置120R 电阻器、以便在发生故障时保护 ADC。 我认为不需要使用小型电容器。 您对此有何看法?

    Maxime  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Maxime、  

    我查看了芯片实验室技术手册。 它与 SAR ADC 上的趋稳时间有关。 TI 也有类似的产品。  http://www.ti.com/lit/an/sbaa173a/sbaa173a.pdf

    而 ADS5294是管线式 ADC。 因此、器件实验室应用手册不适用于此处。 您可以参考不同 ADC 架构上的 TI 幻灯片。  https://www.ti.com/europe/downloads/Choose%20the%20right%20data%20converter%20for%20your%20application.pdf

    在第29~30页、您将看到我们为什么建议在运算放大器和 ADC 之间使用一些 R、C 来吸收采样毛刺。  通常、您可以按照交流耦合电路的数据表应用电路进行操作。 或应用幻灯片的第30页电路

    ADC 和 FDA 之间的120欧姆电阻可能太大。 我们通常使用10~5 Ω 电阻来阻止从 ADC 到运算放大器的干扰。  小电容将形成 RC、以吸收采样毛刺。  

    谢谢!

    小春

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Xiaochen、

    我知道管线式 ADC 和 SAR ADC 是不同的,但我认为他们对采样时间的要求是相同的:采样电容器需要在采样时间结束前充电至低于1/2 LSB。 我弄错了吗? 这就是为什么我问过您之前的采样时间规格是什么。

    我仿真了数据表第30页中显示的内部 ADC 电路的阶跃响应、在阶跃发生器和 ADC 输入之间使用了120R 电阻器。 误差< 1/2 LSB 时、为采样电容器充电所需的时间约为5ns。 然后、我想将这些5ns 与 ADC 的实际采样时间进行比较。 如果正如您所说、在40MSPS 时的采样时间大约为12.5ns、那么我应该是正确的、因为5ns < 12.5ns。 因此、这就是我认为120R 电阻器可以正常工作的原因。 您对此有何看法?  

    谢谢、

    Maxime  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Maxime、  

    很高兴您能详细了解我们的 ADC S/H 网络! 您的分析是正确的。  5n最<Sample time.  

    您可以继续进行设计。  

    谢谢!

    小春

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Xiaochen、

    感谢您的反馈!

    我有另一个与 ADC 输入相关的问题。 ADS5294输入上1K 内部电阻器与 VCM 的容差是多少?

    我需要它、以便能够评估由我的120欧姆串联电阻和1K 内部电阻所做的电阻分压器导致的误差。

    Maxime

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    通常情况下、工艺变化约为10%至15%。 因此1K 也会在该范围内变化。 这与许多外部电容器容差类似。

    谢谢!

    小春
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好!

    您确定要讨论1K 电阻器容差而不是一些电容器容差吗? 正如您所说、10-15%的容差是相当标准的电容器、但对于我来说、10-15%的电阻器容差似乎非常高!

    谢谢、

    Maxime
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    在信号链中、最大容差分量将是主要误差源。 通用电容器是最高容差部分。 在 IC 领域、一般而言、我们更关心匹配而不是绝对容差。

    通常在多通道系统中、ch to ch varation 是一个常见的挑战。 因此、校准在开始时很常见、可以消除增益或相位差。 因此、如果分辨率值是关键规格、您可以在开始时进行信号校准。 您可以使用片上数字增益来补偿或后期处理。

    谢谢!
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Xiaochen、

    感谢您的回复。

    如果我理解得好、单个 ADC 不同通道上1K 电阻器的容差可以为-/+ 15%? 您确认吗?  

    我还有关于 ADC 输入的另一个问题。 您建议使用什么电路来保护 ADC 输入免受过压影响?

    我在绝对最大额定值部分看到、如果电源为1.8V、输入可以处理2.1V 电压。 ADC 是否有连接到 AVDD 的内部二极管? 如果是、二极管可以处理什么电流?

    如您所知、我使用提供3.3V 电压的 THS4541运算放大器来驱动 ADC。 如果出现故障、ADC 输入端会出现3.3V 电压、这将超过其2.1V 最大额定值。 这就是我考虑使用200欧姆串联电阻来限制流向 ADC 的电流的原因。 对于200欧姆电阻、流入 ADC 内部二极管的电流(如果您确认有一个)大约为:I =(3.3V- 2.1V)/200 = 6mA、这对我来说似乎是一个可接受的值。 您对此有何看法?

    Maxime  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Maxime、  

    15%的变化是 TI 多年来提供的所有 ADS5294的猜测值。  在同一个芯片上、通道间压变非常小。 我们的通道到通道误差为0.5%、如数据表中所示。  

    对于过载问题、我们的芯片可以处理6dB 过载。 这是4Vpp。 在每个输入 INP 或 INM 上、它们处理2Vp。 如0.95V+/-1V。 当超过2.1V (如0.95V+1.2V)时、内部 ESD 二极管可能会导通。 我们不会分享 ESD 二极管额定值、而是保护2000V ESD 额定值。  

    过载持续时间短>4Vpp 正常。 ESD 二极管将在过冲消失后恢复。 如果您希望保护输入、可以在 INP/INM 上放置一些背靠背二极管。 您可以让它们卸载、如果需要、您可以稍后将它们放在上面。  

    谢谢!

    小春