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[参考译文] ADS124S08:Vref 和 PGA 增益长期稳定性测试报告

Guru**** 2595805 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS124S08

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/804643/ads124s08-test-report-of-long-term-stability-of-vref-and-pga-gain

器件型号:ADS124S08

您好 、专家:

我的客户正在将 ADS124S08用于 RTD 模块,他们希望获得 Vref 和 PGA 增益稳定性的长期测试结果,您能提供帮助吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Jason、

    我们预计 ADS124S08的1000小时长期漂移数据将于2019年第3季度末发布。 然后、我将使用结果更新数据表。

    如果您实现比例式 RTD 测量、如我们的各种文档中所示、则 VREF 的长期漂移实际上不会随着时间的推移对 RTD 测量精度产生任何影响。
    外部基准电阻器的长期漂移可能是系统中最大的误差因素。
    ADS124S08的失调电压误差可通过定期失调电压校准或启用 ADC 的全局斩波模式来校准。
    我们预计1000小时内的增益漂移小于10ppm。
    1000小时 VREF 漂移很可能在50至150ppm 范围内。 但如前所述、这与比例式 RTD 测量无关。

    此致、
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    您好 、Joachim:

    感谢您的回复!

    我能不能知道客户为什么不需要在 RTD 应用中注意 Vref 漂移?

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    您好 Jason、

    Vref 漂移仅在您实施比例式 RTD 测量时无关紧要。
    有关详细信息、请参阅以下应用手册: 《RTD 测量基本指南》

    如果您在阅读后需要更多的解释、请告诉我。

    此致、

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    您好 、Joachim:

    对于 RTD、我们可以避免增益和 基准电压、而只能使用精密电阻器。 然而、对于热电偶测量、我们需要依赖基准和增益来获得准确的测量结果。 因此、我们确实需要这些信息。

     

    另一个问题: 根据我的调查和理解、电压基准的长期漂移主要发生在前1k 小时、并且随着时间的推移几乎保持恒定。 不过 ,对於长期的增益漂移,我 对改变的规则并不十分肯定。 是芯片内集成电阻器的漂移决定了增益漂移吗? 它是否会随着时间的推移而持续漂移(具有恒定速率)? 请问 您能给我一些关于这一点的更多信息吗?

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    您好 Jason、

    您完全正确。 对于热电偶测量(不能以比例式测量方式实现)、基准电压的长期漂移将是主要因素。
    如前所述、我们应在2019年8月针对 ADS124S08提供此数据。 如果您现在需要一个值、那么我将在前1000小时内以100ppm 计算得出。

    电压基准在最初几百小时内漂移最大、对于许多器件、正如您所说的那样、此后保持相对恒定。
    遗憾的是、对于 PGA 增益的长期漂移、我们还没有很多数据点。 我们刚刚开始在我们的新器件上收集这些数据。 但我们到目前为止看到的是、增益长期漂移在1000小时内远低于10ppm。 这意味着与 VREF 长期漂移相比、它应该可以忽略不计。

    降低长期漂移效应(尤其是 VREF)的一种方法是在回流过程后、在执行线路末端校准之前"烘烤" PCB。
    "烘烤"是指在105 - 125°C 的温度下将 PCB 放入烤箱24 - 48小时 这将有助于释放回流过程引起的封装应力。 封装应力应该是 VREF 长期漂移的主要原因。

    此致、