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[参考译文] ADS1293:无需说明

Guru**** 2812305 points

Other Parts Discussed in Thread: ADS1293, ADS1292, ADS1298

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/811503/ads1293-few-clarifications-needed

器件型号:ADS1293
主题中讨论的其他器件: ADS1292ADS1298

您好!

在 ADS1293 EVM 中 、晶体电路如所示

晶体似乎连接到 AVDD 和 AGND、通常情况下、高频信号连接到 DVDD 和 DGND、而模拟器件尽可能保持安静。 那么、这是原理图中的错误吗?

2. EVM 和数据表中的晶体振荡器电路不同。

这是正确的。 我要附上数据表中的快照、因为上面已经显示了 EVM 原理图。 (虽然我必须说、即使在数据表中、AVDD 似乎已连接到晶体)

3.屏蔽通常由另一个运算放大器通过 RLD 电路驱动。 但是、ADS1293数据表显示 CMOUT 可用作屏蔽驱动器。 我们是否仍然需要 CMOUT 引脚输出端的运算放大器、或者 CMOUT 是否可以直接驱动屏蔽层?

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    您好、Alwyn、

    感谢您发帖。

    我倾向于同意您对 XTAL 电源的看法。 XTAL1和 XTAL2管脚都被列为数字输入、电压应限制在 VDDIO、而不是 VDD。 绝对最大额定值允许任何输入引脚的电压范围高达 VDD + 300mV、因此在 EVM 上的这些条件下、我们不应对器件造成任何损坏。 此外、考虑到电源电压与 XTALn 管脚进行交流耦合、管脚上的振幅可能会更小。 感谢您指出这一点!

    CMOUT 驱动屏蔽时不需要额外的缓冲器。 但是、您应该将屏蔽层和人体驱动至相同的共模电压。 我认为在这种情况下、对两者使用 RLDOUT 更有意义。 CMOUT 和 RLDOUT 之间将存在一些相位延迟、但这对系统的 CMR 没有显著影响。

    此致、

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    您好、Ryan、

    感谢您抽出宝贵的时间为您提供出色的答案!

    扼要重述一下

    1、晶体的电源应该是 DVDD 和 DGND、对吧? 我尝试重新确认、因为 EVM 和数据表都显示了提供给晶体的 AVDD 和 AGND。 还需要 EVM 中显示的额外电容器吗?

    2、上面显示的2个晶体原理图中的哪一个是正确的、或者两个原理图都是相同的。

    3.对于屏蔽驱动器、您说不需要外部缓冲器、但我看到了几个原理图、如 ADS1298 EVM 和 ADS1292 EVM、它们显示了缓冲器、从 RLDOUT 获取输入、然后驱动屏蔽。

    那么、对于屏蔽、您是否认为从 RLDOUT 引脚驱动屏蔽和 RLD 都是可行的、RLDOUT 引脚是否具有足够的驱动能力来完成此操作? 那么、我现在有3个选项
    a.从 CMOUT 驱动屏蔽和 RLD。
    b.从 RLDOUT 驱动 SHed 和 RLD
    c.从 RLDOUT 驱动 RLD、并从 CMOUT 驱动屏蔽。 (但正如您所说的、此配置可能存在相位不匹配)

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    您好、Alwyn、

    1.是的、我认为 DVDD 和 DGND 最适合 XTAL 的电源电压。 实际上并不需要额外的电容器。 如果您考虑它、该电容器只是 VDD 电源上的另一个去耦电容器、其中还有几个并联的电容器。

    2、答案与1相同。

    选项 b 对我来说最有意义。 RLD 放大器级的增益有助于抑制更多的共模噪声、因此在驱动 RLD 电极之前利用该级非常重要。 我看到您对缓冲器的看法、也许我有点超前。 RLDOUT 和屏蔽之间的额外缓冲器可能并不是真正必要的、但鉴于数据表中的驱动器信息有限、很难肯定地说。 我认为、一个简单的同相缓冲器、与 ADS1298和 ADS1292 EVM 中所示的缓冲器相似、将是一个更加稳健的方法。

    此致、