This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] ADS1147:内部二极管温度读数不正确

Guru**** 2393725 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS1147, ADS1148

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/832179/ads1147-incorrect-internal-diode-temperature-readings

器件型号:ADS1147
主题中讨论的其他器件: ADS1148

我在一个设计中使用 ADS1147、在此设计中、我要测量多达两个温度传感器(PT100、J T/C 或 K T/C)、并且我需要测量热电偶冷端的内部温度。 我在 IC 和传感器终端之间使用导热材料、以确保合理的精度。

我在其他设计中使用 ADS1148、在数千个系统中都取得了巨大成功、但在这个新设计中使用 ADS1147时、即使我使用的寄存器配置与 ADS1148中使用的配置相同、我也会获得似乎是错误的读数。 我知道器件和 SPI 通信工作正常、因为我将两个输入用于 PT100传感器、并且在宽范围内的精度在0.5°F 以内。 我可以在 SPI 引脚上放置一个逻辑分析仪来观察数据、但我希望有原因我不知道这一点或勘误表。

针对内部二极管温度的寄存器配置:
MUX0 = 0
VBIAS = 0
MUX1 = 0x3B
SYS0 = 0x02
IDAC0 = 0x08
IDAC1 = 0xCC

内部基准始终开启、从负传感器输入到接地之间有一个1k 欧姆0.1%电阻器、用于提供精确的 Vreference 以测量传感器电阻。 所需的所有电容器均已就位、且均靠近电源引脚和基准引脚、且均为高质量陶瓷电容器。 该设计与我使用 ADS1148成功进行的设计非常相似、因此我被骗了。 在读取其中一个模拟输入后、我已对内部二极管进行了160ms 的读取、以防出现稳定问题、但无论我做什么、我都能获得相同的结果。

在工作台上、我在25°C 下没有获得接近118mV 的读数、我得到的读数非常一致、大约为150mV、相当于~233°F 我在调试模式下运行、查看了从 ADS1147读取的数据、我得到的值是不合理的。

如果有任何帮助、我们将不胜感激!

Larry Affelt

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Larry、

    欢迎来到 E2E 论坛!  除了可用引脚数量和封装尺寸外、ADS1147基本上与 ADS1148是相同的器件。  您用于 MUX1寄存器的设置为0x3B。  这个设置打开并使用内部基准、但是也在内部连接 REF0输入。  我建议尝试寄存器设置0x33、看看这是否会产生影响。

    此致、

    Bob B

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Bob、

    非常感谢! 我刚记得、我使用的代码来自一个硬件设计、该设计已经过更改、但从未用于 CJ 测量、而仅用于 RTD、

    非常感谢您的反馈!

    Larry Affelt