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[参考译文] ADS1258:ADS1258IPHPREP

Guru**** 1832870 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS1258, REF3433
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/829107/ads1258-ads1258iphprep

器件型号:ADS1258
主题中讨论的其他器件: REF3433

您好!

   任何人请查看我们的原理图并分享您宝贵的反馈。

我 有几个问题。

如何终止未使用的 ADC 通道和 GPIO 线、目前我们仅使用8个 ADC 通道。

2.外部晶振有70K 的串联电阻,可以,或者我们需要更换不同的晶振。

3.AVSS 和 DGND 我们使用相同的 GND.it 是正确的、或者我们需要维护单独的 GND。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mahesha、您好!

    我很高兴查看您的原理图并回答您的问题...

    1. 未使用的输入可以连接到某些电压电位(在 AVDD 和 AVSS 之间)或保持悬空。
      1. 浮点输入往往具有最低的泄漏电流、但出于 EMI 原因、通常不鼓励使用浮点输入。
      2. 当将未使用的输入引脚连接到固定电位时、请勿连接到大于 AVDD 或< AVSS 的电压电位。 连接到 GND 通常是最简单的实现方式、但这种情况下的泄漏电流往往比连接到更高的电压电位略高(通常大约为 nA)。

    2. ADS1258具有一个极低功耗的晶振驱动器、该驱动器似乎与特定的32kHz 晶振驱动器很难配合使用。 通常、ESR 越高、驱动晶体所需的功率越大、因此我通常建议尽可能使用晶体振荡器(集成晶体+晶体驱动器)、以避免晶体启动问题。 如果您需要使用晶体、请尝试查找 ESR 较低的晶体。 我通常建议使用50千欧或更低的电阻。
       
    3. 很棒! 我建议将 AVSS 和 DGND 连接到同一接地层(  有关更多详细信息、请参阅 e2e.ti.com/.../2790926)。

    关于原理图、我很难在压缩图像中阐明一些细节(E2E 可能是这方面的原因)、所以请相信我、但下面是我的建议:

    • 确保使用缓冲基准源、例如 REF5xxx 或 REF6xxx 器件。 我不建议在没有外部缓冲器的情况下使用 REF3xxx 系列基准。

    • 在对 REFN 信号进行布线时、将其视为差分信号、并将布线布置回基准源 IC 的接地引脚。 避免将 REFN 连接到接地平面(因为它可能会拾取接地噪声)。

    • 避免在电源轨上使用电感器。 精密 ADC 不喜欢选择其电源电流、而且电感器可以通过附近的电源电容器形成 LC 谐振器。

    如果您有高分辨率的原理图图像或 PDF、您希望我详细了解一下。 请将其发送 至 pa_deltasigma_apps@ti.com

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mahesha、您好!

    感谢您与我分享 PDF 原理图!

    您为什么不使用基准电阻器(使测量比例式)以差分方式测量每个 RTD 上的电压?这与以下配置类似。。。。

    ...只要每个 RTD 具有相似的标称电阻、您就可以为每个 RTD 共用一个电流源、基准电阻器和一个外部放大器。 供参考:此图像取自 《RTD 测量基本指南》。

    我的其他建议是:

    1. 尝试使 RTD 测量成比例(即输入电压与激励电流成比例地变化基准电压、从而使测量更不受激励电流变化的影响)。 如果您遵循上述方案、则需要电流源和多路复用器、但可以移除 REF3433和缓冲器。

    2. 在 ADS1258 MUXOUT 和 ADCIN 引脚之间添加差分放大器。 这将有助于增加信号振幅并驱动 Δ-Σ 调制器输入。

    3. 我会考虑移除5V 模拟电源上的铁氧体磁珠。 一般来说、我认为铁氧体磁珠可以消除连接到长导线的外部连接上的噪声。 但是、对于板载电源滤波、我建议使用多个不同尺寸(例如0.1uF 和1uF)的去耦电容器。 多个电容器为 IC 提供"电荷桶"、并在瞬态电流期间保持电源电压稳定。 电源上的电感分量往往会在电流瞬变期间导致电压尖峰、在某些情况下、流入 IC 的扼流电流可能会降低器件的性能。