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[参考译文] ADS8588H：旁路电容器的布局

admin
Guru**** 2928980 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/835660/ads8588h-layout-for-the-bypass-capacitor

器件型号：ADS8588H

你(们)好

关于布局指南、如数据表中所述、AVDD 和 DVDD 的旁路电容器安装在底层。

我理解、当我们将旁路电容器尽可能靠近 IC 放置时、最好将旁路电容器放置在底层。

但是、如果无法将电容器放置在底层、是否有任何建议布局的建议？ (不能将部件放在客户 PCB 的底层。)

此致、

本志本

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    TI__Guru**** 2928980 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Koji Hamamoto、

    建议将去耦电容器放置在靠近 AVDD 或 DVDD 电源引脚的位置、以最大限度地减小电容器(AVDD 或 DVDD)之间的走线电感并减少毛刺脉冲。 这并不意味着您必须将电容器放置在底层、例如、如果顶层的引脚36 (REGCAP1)和39 (REGCAP2)之间存在空格、则 C2和 C3可以放置在顶层并靠近 AVDD 引脚37和38。

    此致

    戴尔