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[参考译文] ADS8556:REFIO 引脚的电容值

Guru**** 2521010 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS8556

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/707222/ads8556-capacitance-value-of-refio-pin

器件型号:ADS8556

您好、支持团队、

我们的客户现在正在使用 ADS8556。

根据其数据表、连接到引脚51 (REFIO)的去耦电容器的最佳电容值为470nF。
但客户希望更改为1000nF、因为目前很难获得器件。

查看数据表第9页上的外部负载电容、未指定其最大值。
是否可以使用1000nF?
此外、使用1000nF 是否存在任何问题?
(例如、加电时稳定运行的时间变长、依此类推)

此致、
M. Tachibana

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    您好!
    如果可以使用这样大的电容器、我将与设计团队确认增大电容器大小将如何影响器件。
    由于电容器的尺寸是电容器的两倍以上、DAC 需要能够支持它、并驱动每个通道后面的三个内部缓冲器、这让我犹豫是否可以实现; 但我会与设计团队确认并告知您。
    此致
    Cynthia
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    您好、Cynthia-San、

    感谢你的答复。
    我们正在等待您的设计团队的反馈。

    此致、
    M. Tachibana

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    设计团队已作出响应并确认  、通过 REFIO 引脚上的1000nF 电容、器件能够以最小的性能下降运行。

    鉴于上述情况、我们无法准确地说明这将如何影响 REF 接通稳定 时间。 数据表规定了  10ms 的典型导通时间、我们 不会预测它会减慢太多、但我们建议使用新的电容器尺寸检查基准的稳定时间、以了解当前的变化。

    此致

    Cynthia

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    您好、Cynthia-San、

    非常感谢您与设计团队确认。
    即使将1000nF 的电容器连接到 REFIO 引脚、我也明白这不是问题。
    我建议我们的客户进行足够的评估。

    μF、在 μF 表第9页的"电气特性:常规"中、外部负载电容的"在 REFIO 引脚上"被表示为典型值:470 μ F、最小值:100 μ F。 我认为这是一个排印错误、这些单位不是 μF μ V、而是 nF。
    您能否在下次更新数据表时对其进行修改?

    此致、
    M. Tachibana

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    谢谢你,我一定会记下这一点。