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[参考译文] DDC264EVM：应用查询

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: DDC264EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1189112/ddc264evm-application-inquiry

器件型号：DDC264EVM

大家好、团队、

代表我的客户发布：

我们正在使用 DDC264EVM 评估板。 我们项目的目标是以160us 的集成时间实现6ks/s 的采样率、但设置这些参数后、从存储器读取数据所需的时间为2s。  

从存储器读取数据的速度是否可以超过2秒？

此外、我还想了解程序如何对数据求平均值、它可以这么做的频率。

我们的目标是每100ms 平均600个样本、并每次从存储器中读取。

此致、

Renan

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好！

    我们需要额外的24小时才能与您取得反馈。

    谢谢

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好、ChienChun、

    对此进行了任何更新？

    此致、

    Renan

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好！

    很抱歉、我需要更多时间来回复您。

    谢谢

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    您好！

    很抱歉耽误你的时间。

    请您进一步澄清并解释一下"从存储器读取数据所需的时间是2秒"这一说法是什么意思？

    您测量的是哪个持续时间？ 例如、从何时开始、何时停止？

    您指的是哪个平均值？ 您是否将平均值作为用户指南第18 5.3.4页"平均值"列中显示的示例进行引用？

    谢谢

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好、ChienChun、

    请参阅下面的客户响应：

    问题：从内存读取数据的速度是否可以超过0.9s？  (可能每隔100ms 读取一次) 另外，我调整了一些参数，以获得0.9s 而不是2s，但速度不能超过这一速度。

     回答：这意味着、当按下所有寄存器的"全部刷新"、然后按下"快速数据"按钮时、程序开始收集数据。 我在手机上使用秒表来记录获取此数据所需的时间、方法是开始按下"快速数据"按钮的时间、然后停止在程序屏幕底部显示"已获取数据"的时间。

     问题：此外、我想了解程序如何对数据求平均值、它实现该值的频率如何。 我们的目标是每100ms 平均600个样本、并每次从存储器中读取。 平均而言、在"Data Summary"选项卡中、它显示了通道、平均值、RMS 噪声、P2P 噪声。 列中找到的一个。

     答案：平均而言、在"Data Summary"选项卡中、它显示了通道、平均值、RMS 噪声、P2P 噪声。 列中找到的一个。

     问题：我还想知道如何从 EVM 板访问 ISSI SRAM 16MB IC 芯片内存、无论通过编程、我们都不必手动记录数据 x 次。 我们希望看到每个通道的数据都被记录、比如160us、我们将如何获取这些数据？

     请告诉我、谢谢

    此致、

    Renan

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好！

    我需要更多时间来回复您。

    谢谢

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好、ChienChun、

    你好。

    此请求是否有更新？

    此致、

    Renan

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好！

    我们需要更多的时间来研究这个问题。

    谢谢

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    您好、ChienChun、

    对此进行了任何更新？

    此致、

    Renan

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    您好！

    这是操作系统和 GUI 需要经历的延迟和处理时间。

    我们仍在讨论是否披露这一点。

    3.客户是否可以解释更多的拘留他想如何处理 SRAM？ 访问还是旁路？ 以及如何实现？

    EVM 和 GUI 按原样出售和使用。 EVM 上的 GUI 和主机执行中间操作、以与器件通信并检索和显示当天的时间。 我们不支持这种特殊用途、例如黑客攻击或仅在 EVM 上连接一个特定组件。

    用户指南中未提及的任何特殊用法都可能会破坏 EVM 和 GUI 的正常功能、因此不建议这样做。

    谢谢

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好、ChienChun、

    请参阅以下客户提供的更新：

    感谢您的回答。 我们需要使用64像素光电二极管阵列测量激光束的小漂移、我们希望具有20位精度。 光电流可高达1uA、因此我们必须使用6kS/s 速率。 在这个速率下、我们相信、我们在短积分时间(~160us)内会丢失几个位、并且输入电容会产生噪声。

    使用 GUI 时、保存每个样本需要0.8s。 由于菜单中没有选项、因此似乎未对6 KS/s 数据取平均值。 因此、我们将每个样本保存到一个文件中、然后对大约200个样本的数据求平均值以恢复20位。 保存文件需要几分钟、激光束在此期间漂移、因此平均计算功能不起作用。 我们希望以6kS/S 速率获得高达20位的数据、并在100ms 左右的时间段内对其求平均值。

    您是否能帮助回答以下问题：

    1) 1)与160us 的集成时间相比、GUI 的处理时间(0.8s)要长得多。 这是否意味着在选定的6kS/S (=160us 集成时间)内采集多个样本？ 电路板是否将其存储在 RAM 中并在一段时间内求平均值？ 似乎无法控制 GIU 中多个样本的平均时间。 我们认为来自 ADC 的样本存储在 RAM 中、用户可以稍后获取这些样本进行平均值计算。

    2) 2)在过去的 TI 论坛中、我看到.cpp 和.h 文件被发布、分别名为 USB_IO_for_VB6.dll"、"USB_IO_for_VB6.cppp"和"USB_IO_for_VB6.dl.h"和"CyAPI.h"。 但未提供与 CyAPI.h 文件兼容的 CyAPI.cpp 文件。 您能为我们提供 CyAPI.cpp 文件吗？ 我们认为这可以帮助我们足够快地获得许多样本、以便我们可以对它们进行平均值计算、以便恢复由于集成时间短而丢失的位、并以100ms 的速率获得激光束位置数据。

    提前感谢。
    此致、
    Renan
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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我需要在内部进行讨论、以了解允许披露的内容。

    请尝试2月24日返回给您。

    谢谢

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    在内部讨论后 、我们无法披露/分享/支持源代码。

    谢谢