您好！
我正在使用 DAC53004通过 MOSFET 的强制检测配置控制负载中的电流：
我们正在执行50us/250us 脉冲、中间大约20ms 的休息时间。
(感应电阻器实际是82R、而不是100R)。
我希望使负载中的电流从5mA 变为50uA、这意味着 FB 电压会从410mV 变为4.1mV。
它一开始运行良好、但在30mV 左右、建立时间越来越长。
在这里、您可以看到大约250us 的脉冲(蓝色表示1300R 电阻器上的电压)。 FB 要求32mV：
但随后可以看到脉冲宽度会减小：
10mV：
8.2mV：
4.2mV：
实际上可以看到 DAC 的输出电压"难以"地增加。 在如此低的电压下是否存在任何限制？
此致、
Aur é lie.
尊敬的 Katlynne：
我正在使用能够处理20V 电压的 N-MOS SSM3K35CTC、L3F、那就不是问题了。
FB/OUT 环路中没有电容器、但我们在负载上使用直流阻断电容器(我也在没有这些电容器的情况下执行了测试、结果是相同的)：
我在移除 MOSFET 的地方进行了测量。 我在 OUT 和 FB 之间放置了一个电阻分压器、以使 OUT 高于 FB、就像在我的电路中一样：
我已发送命令 DAC_DATA = 28 (对于 FB 上的50mV 和 OUT 上的约550mV)、下面是我看到的结果：
粉色：触发脉冲的命令；绿色：OUT；黄色：FB
这很好。 然后、我已经在 DAC_DATA = 16时执行相同的操作(FB 为28mV、OUT 为300mV 左右)：
在这里、您可以看到存在问题。 我认为 VFB 限制/最小值、或者还有其他一些我没有得到的东西。
这对于我们的项目至关重要、因为我们需要能够达到进入负载的极低电流。
此致、
Aurelie
您好、 Aurelia、
您最初说趋稳时间变长了、但在粉色触发脉冲的上升沿之后、电压似乎有延迟增加。 您将 NMOS 替换为 OUT 和 FB 之间的电阻分压器、但电路的其余部分是否仍然存在？ 我不希望 此行为仅来自此电路：
此致！
Katlynne Jones
您好、Aurelia、
这是我在导通时间为40us、关断时间为10us 的仿真中看到的行为：
50mV 设置：
28mV 设置：
似乎输出没有足够的时间下降到0V、但我没有注意到您在图中显示的延迟。 我还可以尝试检查 DAC63204EVM、以查看我是否看到任何更接近您的结果的东西。
此致！
Katlynne Jones
您好、 Aurelia、
感谢您确认具有1.5倍增益的内部基准。 我 只需要知道您希望我测试哪些输出代码。 但我会 在这里尝试使用 具有1.5倍增益的内部基准来复制您的图像：
此致！
Katlynne Jones
您好、 Aur é lie：
我从代码0开始、 使用具有1.5倍增益的内部基准将代码64 (0x40)写入 DAC 输出。 我在分压器中配置了一个47k 和4.7k 的电阻器、如您的原理图所示。 我没有看到从最后一个 SCL 边沿(蓝色) 到输出开始上升有任何延迟。 输出为黄色、FB 为粉色。
我正在使用12位器件(DAC63204)、因此我调整数据以输出您看到的300mV。
我也尝试了代码16 (0x10)、但也没有看到问题：
您的器件是否已损坏？
此致！
Katlynne Jones
尊敬的 Katlynne：
我执行了新的测试、以便在相同条件下比较 DAC63204和 DAC53004。 我拥有两块 DAC63204EVM 板、其中一块板上的 DAC63204由 DAC53004替代 DAC63204、因为它们是兼容的(软件和占用空间)。
我已经按如下方式连接 MOSFET 栅极上的 OUT 和 MOSFET 源极上的 FB：
我已经测试了输出代码0x50和0x10。 绿色是 SYNC 引脚、黄色是 FB 引脚。 我已经测量了 SYNC 的上升沿到 FB 上脉冲开始之间的时间。
DAC63204：
代码0x50：7.2us
代码0x10：7.2us
DAC53004：
代码0x50：7.2us
代码0x10：70us
遗憾的是、我必须得出结论、对于非常小的电压、DAC53004不具有相同的行为。
非常感谢您对此分析的帮助。 我们现在需要决定是让 DAC53004继续工作、还是改用消耗更多功率的 DAC63204。
此致、
Aurelie
