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[参考译文] DLPA3005：DLPA3005 PMIC &放大器 LED 驱动器中低侧 MOS 之间的高侧 MOS 不同

admin
Guru**** 664280 points
Other Parts Discussed in Thread: DLPA3005, CSD17501Q5A, CSD17310Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/dlp-products-group/dlp/f/dlp-products-forum/809499/dlpa3005-the-high-side-mos-is-different-between-low-side-mos-in-dlpa3005-pmic-led-driver

器件型号：DLPA3005
主题中讨论的其他器件： CSD17501Q5A、 CSD17310Q5A

您好！

DLPA3005 PMIC 和 LED 驱动器中低侧 MOS 的高侧 MOS 不同。

高侧 MOS ( Q1 ) 是 CSD17310Q5A。 低侧 MOS ( Q2 )和其他 MOS 是 CSD17501Q5A。

这种差异有什么原因吗？

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    TI__Guru**** 664280 points
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    黄您好、

    请确认您查看的是哪种原理图吗？ 我认为、选择这些器项是为了在每个 FET 的开关损耗和 RDS (on)损耗之间进行优化。 但是、请让我检查一下、我会再给您回复。

    谢谢、

    Kyle

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    TI__Guru**** 664280 points
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    您好、Kyle、

    我们正在研究 DLPA3005的 TI 文档。 请检查我查找的附件文件。

    肯尼

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    TI__Guru**** 664280 points
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    您好 Kenny、

    您可以在数据表的第7.3.3节中找到有关选择 FET 的信息。 本质上、HS FET 针对过压保护设置进行了优化、LS FET 针对低 RDS (on)进行了优化。  

    注意：我将删除上传的原理图、因为它不会公开披露。

    谢谢、

    Kyle